IC缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征.pdfVIP

　第 19 卷第 8 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 8　 V o l N o 　1998 年 8 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug IC 缺陷轮廓的盒维数及其方向的分布特征 姜晓鸿　郝　跃　徐国华 ( 西安电子科技大学微电子研究所　西安　710071) 摘要　为了对 IC 进行有效的成品率预报及故障分析, 硅片表面与光刻有关的缺陷通常被假设 为圆形的或方形的, 然而, 真实缺陷的形貌是多种多样的. 本文对真实缺陷轮廓的盒维数及其 描述真实缺陷方向的最小尺寸的方向角 m in 的分布进行了检验. 本文得到的结论有助于实现 对硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟. : 1130 , 0240 , 2220 , 2570 EEACC B G C 1　引言 由于集成电路可制造性和容错设计的需要, 往往需要描述与电路失效有关的缺陷的分 布与形貌, 尤其是与光刻有关的硅片表面缺陷的表征. 缺陷出现的频率和缺陷粒径分布对电 [ 1 ] [ 2 ] 路故障分析是很重要的 . 但是, 为了计算方便, 缺陷轮廓通常被假设为圆形的 、正方形 [ 3 ] [ 4 ] 的 或椭圆形的 , 然而, 实际的缺陷的形貌是多种多样的. 传统的缺陷模型就其本质而言 均是用欧氏等效轮廓代替缺陷复杂的真实轮廓而进行建模处理的, 这是一种改变对象的结 构以适应现有处理方法的权宜之策, 虽然经这样的近似处理可大大简化计算, 但在缺陷引起 [ 5 ] 故障概率的预测中会引入很大的误差 . 因此, 有必要利用新的方法去研究真实缺陷轮廓 的建模问题. 真实缺陷的轮廓与天空中变化多端云彩的轮廓线及犬牙交错的海岸线有很多相似之 处, 对于这类复杂图形的描述问题, 用直线段或圆弧进行逼近的传统几何的描述方法应该说 与现实是有相当大的差距的. 分形理论的出现为我们提供了一个描述不规则几何图形的强 [ 6 ] 有力理论工具, 该理论可用来有效地描述自然与工程中遇到的多种多样的复杂图形 . 已 [ 7 ] 有的结果表明, IC 制造中真实缺陷的轮廓可用分形维数进行有效的表征 . 本文对 IC 制 　 863 高科技项目和军事预研项目资助 姜晓鸿　男, 1966 年出生, 博士研究生, 讲师, 目前主要从事集成电路可制造性的研究 郝　跃　男, 1958 年出生, 教授, 博