Si基外延GaN中位错的分布.pdfVIP

陶瓷、晶体 197 Si基外延GaN中位错的分布 赵丽伟 刹彩池‘ 滕晓云郝秋艳孙世龙徐岳生 (河北工、lp大学信息功能材料研究所天津300130) 摘要：奉文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播。利用湿法腐蚀有 效地显示了CcaN中的位错，表面的六角腐蚀坑即为位错露头。在KOH溶液tP腐蚀，腐蚀 时闻越长，蚀坑密度越高，表明外延生长过程中位错密度逐渐降低，它是由于CaN生长过 程中位错相互作用。外延时GaN膜中应力非常大，迭到一定程度就会产生裂纹。腐蚀后 用扫描电子显微镜(SEM)可观察到接近裂纹处住错密度要比远离裂纹处位错密度高。 关键词：GaN位错六角腐蚀坑SEM 1引言 由于GaN熔点和饱和蒸汽压高，很难采用通常的方法制备体单晶，它一般在其他衬底1．异质外延 得到。在大规模工业生产中，一般使用MOCVI)法在蓝宝石或碳化硅衬底上制备GaN薄膜，尽管这些 衬底适于制备高质量的GaN薄膜，但是它的价格昂贵，面积小，解理嗣难，无法实现大面积、低成本生 产，对器件的制造也提出了难题。Si具有物理性能好、质量高、成本低、集成工艺成熟、牛产规模大等 失配(56％)，网而外延过程·p产生很大的应力，进而在外延层中诱生大量位错等缺陷。尽管通过生长 缓冲层缓解了衬底与外延层间的失配，但外延层中的位错密度仍在108cm。左右。GaN具有极高的化 学稳定性，给显示位错等缺陷带来了困难，目前常用的方法有电镜观测。j腐蚀显示缺陷法-1’2J。湿法 腐蚀设备简单，操作方便，并且腐蚀形貌清晰，本文即采用此方法显示其中的位错。目前，对GaN中位 错的研究主要是关于位错的类型n…、传播情况口．6j以及显示位错[7,81的各种方法与适宜条件的选 择[…，但对位错分布与传播的机理还未见报道。本文研究了位错的分布与传播机理，通过对腐蚀后 CaN表面形貌的观测，分析了生长过程中位错对外延层形貌的影响。 2试验 +教育部新世纪优秀人才支持计划和河北省自然科学基金(2)资助项目 通讯联系人(E—mail：liucaichi@eyou，corn) 198 华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集 腐蚀，温度为100气。腐蚀前后用扫描电子显微镜(sEM)观察其表面形貌，透射电子显微镜(’雌M) 研究CaN内部的缺陷。 3结果与讨论 衬底si‘j外延层间存在很大的失配，外延生 长过程中诱生大量的位错，密度高达108cm～。位 错处存在晶格畸变，化学稳定性差，原子间结合力 弱。在KOH溶液中腐蚀，微电池在主耋些地方作用 比较强烈，优先受到腐蚀，形成对应的腐蚀坑，如 图2所示。腐蚀是具有各向异性的，蚀坑为倒置的 六角棱锥，六个侧面为”…“。样品表面观察到的六 角腐蚀坑，即为位错露头。图3为CaN在不同的 图1 G州样品腐蚀前的SlfiM围 KOH溶液中腐蚀后，腐蚀坑密度与腐蚀时间的关 系。町以看到，随腐蚀时间延长，腐蚀坑密度逐渐 升高，说明位错密度随外延生长而逐渐降低。图4 为GaN的透射电镜图，从图中可以看到GaN中位错 闯相互作用，这是导致位错密度降低的主要原因。 CaN中位错主要来源于缓冲层，生长初期，位错密 度非常高，极易发生反应，使位错密度逐渐降低。 图5为CaN中亚晶粒的TEM图，亚晶粒的周围有 位错网。晶粒间存在偏移，在晶界处有大量位错， 生长时部分位错终止于品界处，是位错密度降低的 另一个原因。 GaN厚度增加，外延层中应力不断增大以致 在外延层中产生裂纹。存KOH溶液中腐蚀后发现 固2Gg,l样品腐蚀后的SEM雹 。 宴 牛 墨 芑 趟 粕 图3腐蚀坑密度与位错密度关系曲线 圈4一GaN中的位错反应 裂纹附近腐蚀坑的密度比较高，而远离裂纹处的腐蚀坑密度则比较低，如图6所示。这是由于外延 层中应力无法释放，在应力集中的地方，产生裂纹，并诱生大量的位错，因而在裂纹的附近除了由缓 陶瓷、晶体 冲层延伸到外延层中的位错外，还有裂纹蘼生的俺错，值