BN掺杂对双层石墨烯电子特性影响的第一性原理研究.pdf

第27卷第4期 原 子 与 分子 物理 学 报 V01．27No．4 OFATOMICAND 2010年8月 JOURNAL MOLECULARPHYSICS Aug．2010 doi：103969／j．issn．1000—0364．2010．04．028 B／N掺杂对双层石墨烯电子特性影响的 第一性原理研究 孔 鹏，王 菡，王 薇，程 剑，陈宗正，李星海 (华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074) 摘要：利用平面波起软赝势方法研究了B／N原子单掺杂和共掺杂对双层石墨烯电子特性的影响．对掺 杂双层石墨烯进行结构优化，并计算了能带结构、态密度、分波态密度等．分析表明，层问范德瓦尔斯相互 作用对双层石墨烯的电子特性有比较明显的影响IB／N原子单掺杂分别对应P型扣n型掺杂。会使掺杂片 层的能带平移，使得体系能带结构产生较大分裂；双层掺杂的石墨烯能带结构与掺杂原子的相对位置和距 离有关。对电子特性有明显的调控作用．其中特别有意义的是，B／N双层共掺杂在不同位置情况下套得到 金属性或蔡带宽度约为0．3eV的半导体能带． 关键词：双层石墨烯IB／N掺杂I电子特性，第一性原理 中图分类号：0413；0472+．4；0481．1文献标识码：A 文章编号：1000-0364(20lO)04一0775一06 calculationsofelectronicstructurefor First—principles B／Ndoped bilayergraphene KONG Han，WANGWei，CHENG Peng，WANG Jian，CHENZong-Zheng，LIXing-Hai ofElectronicScienceand of (Department Technology，HuazhongUniversity Scienceand Technology，Wuhan430074，China) Abstract：Theeffectof on is the functionaltheo— B／Ndopingbilayergrapheneinvestigatedusingdensity of ofstatesand thestructures band ry．Afterrelaxing dopedbilayergraphene，thestructures，density resultsthatthe vanderWaalsin— ofstatesarecalculated．The show partialdensity computed interlayer teraction affectstheelectroniccharacter．BorN methodresultsinthe or obviously mono-doping p-type trait movesthe Fermileveland