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SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型及其有限元分析.pdf
第34卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v01．34N。．5
圣QQ主生!Q旦 』Q旦旦堕垒垦Q￡墨!堕!旦堡!!曼g垒羔璺!垒坚 Q!!型兰!!兰塑主
SiC晶体PVT生长系统的流体力学模型
及其有限元分析
张群社，陈治明，蒲红斌，李留臣，封先锋，巩泽龙
(西安理工大学自动化与信息工程学院，西安710048)
摘要：本文根据sic晶体PvT生长炉的实际提出了生长系统温度场计算的流体力学模型，采用有限元法分析了生
长腔内的热传导、辐射和对流对生长腔内和生长晶体中温度空间分布的影响。通过对生长腔内及生长晶体中温度
瞬态和稳态分布的分析，得出在加热的初始阶段腔内气体对流对坩埚内的温度分布有较大影响，在系统热平衡后
辐射对腔内温度分布起决定作用的结论。
关键词：sic晶体；PVT法；流体力学模型；温度场
中图分类号：0782 文献标识码：A
A ModelofSniconCarbide
Hydrody眦Hlics SingleCrystal
GrowthPVTandFilliteElement
by AI谢ysis—
zHANG Hong-b讥，LIL沁一c}他n，FENGX泌n舌ng，GoNGze·kng
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ofIIlI抽nation 710048，China)
(School En西neering，xi’anUIliversit)rofTechnolo{F，xi’alI
(胁P缸蒯25Fe6nm，y
2005，∞即矧17胁可2005)
of
numericalmodeltosimulatethetmnsientheattmsfer t}lesublimationSiC
Abstract：A during gro砒h
via was the innuenceof
singlecIystalsphysicalvaportranspondeveloped，investigatingIespectiVe
andconvectivecontributionsonthe ceUandtlle crystal．The
conductive，mdiative gmwtll growing
inthe
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