ZnSeTeZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究.pdfVIP

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2015-09-30 发布于湖北
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ZnSeTeZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究.pdf

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ZnSeTeZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究.pdf

第卷第期红外与毫米波学报， 21 1 VoI . 21 No . 1 年月， 2002 2 J . Infrared MiIIim . Waves February 2002 量子阱中等电子陷阱的 ZnSeTe/ZnSe Te 静压光子发光谱研究! 方再利李国华韩和相丁琨陈晔（中国科学院半导研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京，） 100083 彭中灵袁诗鑫（中国科学院上海技术物理研究所，上海，） 200083 摘要测量了超晶格量子阱材料在时静压下的光致发光谱观察到 ZnSe0 .92 Te0 .08/ZnSe 77K 0 ~ 7 . 8GPa . ZnSe0 .92 阱层中等电子陷阱上的束缚激子发光，发现它的压力系数比带边发光的压力系数小约，表明 Te0 .08 Te ZnSe 50 % 等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的还观察到了激子在阱层中的等电子陷阱能级与相 Te . ZnSe0 .92 Te0 .08 Te 邻（）（）短周期超晶格之间的转移现象 CdSe 1/ ZnSe 3 . 关键词 Te 等电子陷阱，压力，光致发光. PHOTOLUMINESCENCE OF Te ISOELECTRONIC TRAPS IN ZnSeTe/ZnSe UANTUM ELLS 0 UNDER HYDROSTATICPRESSURE! FANG Zai-Li LI Guo-Hua HAN He-xiang DING Kun CHEN Ye （