气压浸渗制备Al-Si-Al结构中硅的溶解及控制.pdfVIP

《热加工工艺》2013年2月第42卷第4期 ·复合材料· 气压浸渗制备Al—Si—Al结构中硅的溶解及控制 于威，于家康，陈代刚，袁曼 (西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安710072) 摘要：采用气压浸渗法制备了A1．Si．Al三明治结构的复合材料来研究硅的溶解及控制。光学显微镜观察显示：在 没有SiO：的情况下，硅片被铝合金溶解，其界面失去平直而变成波纹的形状；采用高温氧化的方法是硅片表面生成一 层SiO：，这可有效防止硅的溶解，其界面保持平直。SEM及EDS分析表明，Al。Si界面结合良好，界面处富含氧元素，最 终界面反应产物为M甜：04、A120，。 关键词：气压浸渗；硅的氧化；硅的溶解；界面 中图分类号：TB33 文献标识码：A 文章编号：l001．3814(2013)04．0089．04 in ControlofSmconDi鹤olutionA1．Si．AlSandwich Composite FdbricatedbvGasPressureInfntration YU Man Wei，YUJial【a119，CHENDaigang，YUAN P01ytechnicalUniVersity，XiaIl (StateKeyLaborato巧ofSolidific撕onProcessiIlg，Nomlwestem 710072，ChiIla) Abi咖ct：Al-Si—Alsandwich fIabricated in6l的tionwasused mesilicondissolution gas t0蚰udy composite by pressure 柚ditscon仃0I．111elTlicros仃ucturereveals山atsiliconis andillte血ce liIleto platedissolvedby灿alloyshifIing劬ms仃aight of wave int11e meoxidationsilicon diss01utjoniscon仃011eda11d协ei11te恼ce shape composite诵tllout plates．silicon ke印s inme withmeoxidationofsilicon bondswella11d0elementisrich_iIlinte血ce． s仃aight composite plates．Tlle舢-Smte血ce fiIlaliIItemcialare Moreover，tlle productsMgAl204孤dA1203． in矗l缸弼on；siliconoxi蛳on；silicondissol雠on；谳emce K砖钾ords：g髂prcs吼R 硅颗粒增强铝基复合材料因具备质量轻、低热 法都存在设备复杂、成本高的问题，而气压浸渗法工 膨胀、高导热和良好的加工性能等优点成为最有发 艺简单，制备成本相对低廉，以及近净成形，制备周 展前景的新型电子封装材料【Ⅷ，同时由于Si和Al期短【9】。但气压浸渗法也有自己的缺陷，气压浸渗是 之间的固溶特性，使得Si以l复合材料回收、再利 在高温液体状态下制备的，易对增强体造成破坏