CIGS薄膜材料研究进展.pdfVIP

维普资讯 第34卷第 1期 西南民族大学学报 ·自然科学版 JournalofSouthwestUniversityforNationalitiesN·aturalScienceEdition 文章编号：1003-2843(2008)01-0189-05 CIGS薄膜材料研究进展 肖健平 17何青 ，陈亦鲜 ，夏明 f1．西南民族大学电气信息工程学院，四川成都610041；2．南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津 300071) 摘 要：CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点，是最有发展前途的太阳能电池之一，受到了广泛关 注．阐述了cI(G)s材料特性，分别介绍了多种制备方法，其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通 用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法． 关键词：CIGS薄膜；共蒸发三步法；溅射后硒化 中图分类号：056 文献标识码：A 1 前言 综观全球，人类正面临着日益突出的能源匮乏和环境污染问题．如何提供一种能长久且安全使用的能源变 成了目前最为迫切的议题．太阳能成为了未来能源的首选．其中CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能 稳定等优点，受到了广泛关注，成为当今光伏领域研究的热点之一． CIGS电池的典型结构为：玻璃衬底、(Mo)背电极层、(CIGS)吸收层、(CdS)缓冲层、双层结构的ZnO窗口层： 本征ZnO(i．ZnO)层和掺Al低阻透明ZnO(AI：ZnO)层、铝电极．其中CIGS薄膜为光吸收层，是CIGS太阳电池的核 心材料．制备高效cIGs电池的关键之一是要获得高质量的CIGS多晶薄膜．高质量的CIGS薄膜应该偏离材料化 学计量比较小，具有单一黄铜矿结构，具有较好的致密性及较大的晶粒．这样材料的光学和电学特性就相应较 好，从而有利于电池转换效率的提商 2 CIS和 CIGS材料特性 CIS是 I一ⅡI一Ⅵ族化合物坐I旦+4Y1柑114料．I—III一Ⅵ 族化合物半导体是由II一Ⅵ族化合物衍生而来，其 中II族化合物可由I族 (Cu)与III族 (In)取代而形成三元化合物，当Cu与 In原子规则地填入原来II族原子 的位置后，阳离子在 C轴方向有序排列，使 C轴单位长度大约为闪锌矿结构的两倍，为一种四方晶系的结构，其 晶体结构为黄铜矿结构，如图1所示．此种结构可视为两个闪锌矿结构的单元晶胞堆叠构成． 由Cu2Se—In2Se3伪二元相图(图2)来看CuInSe2在 700C形成黄铜矿结构，且 CulnSe2薄膜的组分可容许大 约 5mo1％的变异，这意味着即使当薄膜组成偏离定比值薄膜的组分可容许薄膜的组分可容许大约 5mo1％的变 异，这意味着即使当薄膜组成偏离定比值[Cu：In：Se=l：1：2】相当的程度，只要在该组成区域范围内，就能具有黄 铜矿结构及其相同的物理性质和化学性质．CuInSe2材料是直接带隙材料，具有高达6×10cm 的吸收系数，这是 到目前为止所有半导体材料中的最高值．具有这样高的吸收系数，也就是这样小的吸收长度对于太阳电池基区 光子的吸收、少数载流子的收集有利，因而也对光电流的收集产生了非常有利的条件．一般Cu—rich的CIS薄 膜由于CuI原子错位和In空位缺陷的存在，所以导电类型为低电阻的P—type．而在In—rich的CIS薄膜中，当 se的组成接近 50％时，其电性由Inc的原子错位和 cu空位来决定，即同时产生两种相反电性的缺陷，所以In — rich薄膜的导电特性为高补偿性、高电阻的N—typeI． 收稿 日期：2007．1】．10 作者简介：肖健平(1981．)，女，西南民族大学电气信息工程学院助理实验师 维普资讯 190 西南民族大学学报 ·自然科学版 第34卷