液相脉冲放电制备β-SiC纳米颗粒及其光致发光.pdf

第34卷第5期 河南科技大学学报：自然科学版 V01．34No．5 2013年10月 ofHenan ofScienceand Science 0ct- 2013 Journal University Technology：Natural 液相脉冲放电制备p·SiC纳米颗粒及其光致发光 杜凯h，魏荣慧h，魏世忠岫，杨海滨2 (1．河南科技大学a．物理与工程学院；b．河南省耐磨材料工程技术研究中心，河南洛阳471023；2．吉林大学超硬材料国 家重点实验室，吉林长春130012) 摘要：采用脉冲放电法在六甲基二硅烷液体中放电制备得到p-Sic纳米颗粒，研究了空气气氛中退火样品的 nm和470nm的发光峰。讨论了相关的光致发光性质 光致发光谱与退火温度的关系。在室温下观察到400 nm峰则认为 和可能的内在机理。400nm峰可能是源自于B—sic纳米颗粒表面的原子过量缺陷中心，而470 与在B—Sic纳米晶和无定形Si0：界面处的缺陷有关。 关键词：纳米结构；sic；半导体；光致发光 中图分类号：0469 文献标志码：A O 引言 一直以来，蓝光发射材料因其在光电子器件和显示设备方面的巨大需求而受到广泛关注。1。1。宽 禁带半导体Sic具有卓越的热传导率、较大的击穿电场和耐化学腐蚀性能，因此成为蓝光发射材料的重 要一员。自从被发现在低温下能够产生蓝色光致发光，Sic引起了科研人员的极大兴趣¨“…。采用化 学气相沉积、碳离子注入和磁控溅射等各种方法制备的具有光致发光特性的siC膜层出不穷。文献 eV发现一个蓝色发光峰。文献[11]采用射 [7]采用c+注入Si基底的方法合成了sic复合膜，在2．79 nm的发光峰。最近，纳米结构的sic受到了更多的关 频共溅射方法制备了sic．siO：膜并发现一个460 注。文献[10，12]通过在氮气氛下反应不同的混合物生长了B-sic纳米线和中空纳米球等纳米结构，分 别发现了在440nm的蓝色发光峰。文献[10]将其归于量子限域效应和B—SiC纳米棒的微缺陷影响。 尽管人们制备了各种具有光致发光性能的siC纳米结构，同时也提出了各种机理，但目前关于sic纳米 颗粒的光致发光研究鲜有报道。 本文采用脉冲放电方法从液相有机物一六甲基二硅烷中成功制备出B·siC纳米颗粒。对在空气中 不同退火温度得到的样品的光致发光谱进行了研究，并提出了可能的发光峰来源和相应的机理解释。 1 试验过程 1．1 制备纯的B-SiC纳米颗粒 分析纯的六甲基二硅烷(HD)用作原料，可以同时提供碳源和硅源。具体的制备过程在之前已经 描述，此处不再赘述¨4|。为了研究光致发光机理，B．SiC纳米晶在马弗炉中空气气氛下进行退火，退火 h。 温度分别为600℃、800℃、1000℃和l200℃，升温速率10℃／min，保温时间l 1．2样品表征 光致发光谱采用日立F4500荧光分光光度计检测，配备有150w氙灯。红外吸收光谱(FTIR谱) 采用BrukerIFs石6傅里叶转换红外系统检测。样品形貌及电子衍射用日立透射电子显微镜H8100检 测。 青年科学基金项目(2009QN0035)；2012年度大学生研究训练计划(sRTP)项目(2012142) 作者简介：杜凯(1979一)，男，山东潍坊人，副教授，博士，研究方向为纳米半导体与传感材料． 收稿日期：2013一02—13 万方数据 ·16· 河南科技大学学报：自然科学版 2结果与讨论 首先对样品形貌、尺寸进行透射电镜测试，图l为样品的形貌及电子衍射照片，由图la可以看出：