300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析.pdfVIP

第31卷第5期 稀有金属 2D昕年10月 v01．31№．5 CHⅡ4ESEJOURNAL0FRAREMETAIS oct，卿 300 mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析 高 宇。，周旗钢，戴小林，肖清华 (北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司，北京100088) 摘要：采用有限体积元法软件凸y日v1Jn耐直拉法生长300啊t硅单晶热场和热应力分布进行了模拟，模拟考虑了热传导、辐射、气体和络体 对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变，以cmmhy第一和第二运动定律作为局部控制方程，考虑了硅单晶 的各向异性，计算了l∞)硅单晶生长过程中晶体内v咖Mi。∞应力分布和变化规律，结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著，界面上 方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。 关键词：热应力；模拟；300衄；硅单晶 中图分类号：1N304．1文献标识码：A 文章编号：0258—7076(2007)05—0585—05 应用300一硅片带来的成本优势使其广泛地 率增大而升高，并定量分析了热应力同点缺陷密 应用于Ic制造，直径从200mm到300rm的转换 度的关