Si基外延GaN的结构和力学性能.pdfVIP

第2l卷第4期 材 料 研 究 学 报 v01．21No4 20 7 2O0 CHINESEJOuRNALOFMATERIALS衄SEARCHO 7年8月 August 丰 Si基外延GaN的结构和力学性能 魏同波王军喜刘}}李晋闽 (中科院半导体研究所北京100083) 摘要 究丁表面发光性能和GaN晶体质量随耀度的变化．结果表明，外延层的表面比较平整，多组超晶格插入层可以进一步降低位错密 度，提高晶体质量膜的表面有许多颗粒状的发光中心，除了强的带边峰外，还有弱的黄光带和红光带，这可能是ON与VGa所 产生的探能级跃迁产生的．Ga