集成电路科学与工程导论 第二章 集成电路关键材料.pptVIP

* * 在芯片制造的第一阶段（或生产线前端），单个组件（晶体管、电容器等）是在晶圆上制造的。在线路后端，这些组件相互连接以分配信号以及电源和接地。芯片表面根本没有空间在单层中创建所有这些连接，因此芯片制造商构建垂直级别的互连。虽然较简单的集成电路 (IC) 可能只有几个金属层，但复杂的 IC 可能有十层或更多层布线。 靠近晶体管的互连需要很小，因为它们连接/连接到本身非常小的组件上，并且通常紧密地组装在一起。这些较低级别的线路（称为局部互连）通常很细且长度较短。全局互连在结构上更高；它们在电路的不同块之间穿行，因此通常很厚、很长，而且间隔很远。互连层之间的连接称为通孔，允许信号和电源从一层传输到下一层。 * * * 写入时，磁头产生感应磁场， 使下方磁性粒子的磁化方向改变。 通过给磁头不同的电流方向，使得磁盘局部产生不同的磁化，进而电信号持久化到磁盘上 * * * RRAM 的回滞特 性曲线可分为 4 个区域：高阻态、低阻态和两个转变区，如图 2.21（c）所示，只有电压 变化达到一定阈值才能对器件的电阻进行编程或复位。不同类型的阻变存储材料，其产 生电阻转变的机制各不相同，大致上可以分成无机材料和有机材料两大类。无机材料中 又可分为二元氧化物、三元和多元氧化物、硫族固态电解质、氮化物等。无机材料的优 势是稳定性好、电阻转变速度快以及耐受性更好，有机材料的优势是有良好的柔性、制