集成电路科学与工程导论 第二章 集成电路关键材料.ppt

* * 在芯片制造的第一阶段（或生产线前端），单个组件（晶体管、电容器等）是在晶圆上制造的。在线路后端，这些组件相互连接以分配信号以及电源和接地。芯片表面根本没有空间在单层中创建所有这些连接，因此芯片制造商构建垂直级别的互连。虽然较简单的集成电路 (IC) 可能只有几个金属层，但复杂的 IC 可能有十层或更多层布线。 靠近晶体管的互连需要很小，因为它们连接/连接到本身非常小的组件上，并且通常紧密地组装在一起。这些较低级别的线路（称为局部互连）通常很细且长度较短。全局互连在结构上更高；它们在电路的不同块之间穿行，因此通常很厚、很长，而且间隔很远。互连层之间的连接称为通孔，允许信号和电源从一层传输到下一层。 * * * 写入时，磁头产生感应磁场， 使下方磁性粒子的磁化方向改变。 通过给磁头不同的电流方向，使得磁盘局部产生不同的磁化，进而电信号持久化到磁盘上 * * * RRAM 的回滞特 性曲线可分为 4 个区域：高阻态、低阻态和两个转变区，如图 2.21（c）所示，只有电压 变化达到一定阈值才能对器件的电阻进行编程或复位。不同类型的阻变存储材料，其产 生电阻转变的机制各不相同，大致上可以分成无机材料和有机材料两大类。无机材料中 又可分为二元氧化物、三元和多元氧化物、硫族固态电解质、氮化物等。无机材料的优 势是稳定性好、电阻转变速度快以及耐受性更好，有机材料的优势是有良好的柔性、制 备工艺简单、成本低廉等。 * 蓝光LED：照亮21世纪的伟大发明 禁带发光光谱与晶格的关系 Q: 为什么蓝光LED比绿光，红光LED更难实现？ 赤崎勇 天野浩 中村修二 低温沉积AlN 缓冲层技术，显著提高GaN的质量 p型GaN的結晶化，首次实现蓝光发射 改进低温的 GaN缓冲层，实现量产实用型蓝光LED 2014年诺贝尔奖颁奖词 白炽灯照亮了20世纪，而LED灯将照亮21世纪 蓝光LED怎样改变世界？ 中国硅基发光之父-江风益院士 发光材料 南昌大学江风益院士主导的硅衬底 LED 芯片技术，开创了蓝宝石衬底 LED（日本），碳化硅 LED （美国）和硅衬底 LED 照明芯片（中国）三分天下的局面 国际上率先研制成功高光效硅衬底蓝光LED，推动硅衬底蓝光LED产业化。2015年度获得中国国家技术发明奖一等奖” 解决了铟镓氮黄光量子阱材料发光效率低的难题，2016年成功地将黄光LED的光功率效率从之前国际上最高不到10%提升到21%～30% 结合高光效黄光、红光LED，成功开发了超低色温、无荧光粉、无蓝光的金黄光LED照明光源，已应用于多个城市照明 南昌大学发明了发光效率世界最高的黄光LED，技术水平国际领先，这是中国人的一项非常大的发明，它有非常大的价值！ -中村修二 介电材料-高K材料 随着集成电路器件尺寸的缩小，各种参数也相应变化 介电材料-高k材料 介电材料-低k材料 在数字电路中，绝缘电介质将导电部分（导线互连和晶体管）彼此分开。随着组件的规模不断扩大以及晶体管之间的距离越来越近，由寄生电容引起的电阻电容延迟现象(RC delay), 不仅影响芯片的速度，也对工作可靠性构成严重威胁 寄生电容正比于电路层隔绝介质的介电常数k，因而使用低k材料（k3）作为不同电路层的隔绝介质，即可达到减小寄生电容的目的。 常见的几种低k材料 介电材料-互联材料 一枚Intel的I7芯片包含数十亿个晶体管，包含约 30 英里长的互连线 后道工艺：将晶圆上的单个组件（晶体管、电容器等）相互连接 局部互连：细且长度较短，低级别线路 全局互连：连接不同电路块，通常很厚且间隔较远。 通孔：上下互连层之间的连接孔 介电材料-互联材料 常见的几种互联材料 互联线制备 铝互联线 铜互联线 钌互联线 其他金属互联线 电阻率较低，易沉积、易刻蚀，制作工艺最为成熟，高集成下电迁移严重 电阻率低，抗电迁移能力强，成本更低、功耗更小，逐渐取代铝成为主流 抗氧化性强、高熔点，低电阻率，与现有工艺（大马士革工艺）的兼容性好 钴，银等金属互联线具有更低的电阻率，然而，其制备工艺与现有工艺不兼容 存储材料 硅基存储材料 SRAM DRAM（合肥长鑫） Flash （长江存储） 非易失 易失 磁存储材料 1928年Fritz Pfleumer发明的录音磁带 磁记录的原理： 2019年华为发售的GT2智能手表，搭载MRAM芯片，由于磁存储的非易失特性，续航时间可达两周 电信号通过磁化固定在磁性材料中，磁存储材料具有优越的抗干扰性和非易失性 磁存储材料 磁读取的原理：巨磁阻效应 Albert Fert Peter Grunberg 2007诺贝尔物理学奖得主 磁鼓 IBM 650系列的主存储器 只能保存10 K数据 硬盘机 IBM 305, 可存储4.4MB的“海量” 数据，重1吨 软盘 1980