集成电路科学与工程导论 第四章 集成电路工艺设备.ppt

左边画圈的是戈登摩尔，中间画圈的是诺伊斯，两人连同安迪·格罗夫后来创办了英特尔 * 左边画圈的是戈登摩尔，中间画圈的是诺伊斯，两人连同安迪·格罗夫后来创办了英特尔 * 左边画圈的是戈登摩尔，中间画圈的是诺伊斯，两人连同安迪·格罗夫后来创办了英特尔 * 左边画圈的是戈登摩尔，中间画圈的是诺伊斯，两人连同安迪·格罗夫后来创办了英特尔 * * 与传统照明方式相比，离轴照明能够提高系统的分辨率，增加焦深并且提高成像的对比度。但离轴照明方式和参数需要根据掩模版进行调整，系统比较复杂。 * * 该浸没式光刻机系统正广泛应用于7nm节点的大规模DRAM生产中。该型号首台光刻机于2018年开始出货，是当前ASML旗下套刻精度最高的产品，达到了1.9nm。该设备适合大批量加工基片，每小时可以加工超过275片12英寸晶圆。 * 该浸没式光刻机系统正广泛应用于7nm节点的大规模DRAM生产中。该型号首台光刻机于2018年开始出货，是当前ASML旗下套刻精度最高的产品，达到了1.9nm。该设备适合大批量加工基片，每小时可以加工超过275片12英寸晶圆。 该设备激光光源波长为193nm，分辨率低于38nm，单机套刻精度低于1.5nm。可用于加工12英寸的晶圆，每小时可以加工超过275片晶圆。 * EUV设备使用波长为13.5nm的极紫外射线，设备分辨率可以大大降低。EUV曝光系统由EUV光源、聚光系统、掩模、掩模工作台、投影物镜、样品台、对准和对焦系统组成。 。 利用激光激发等离子体，产生极紫外射线。之后由复杂的光学系统对光束进行聚焦，聚焦后的光束通过投影系统将掩膜版上的图形进行缩小并对衬底上的光刻胶进行曝光。 * * * /science/article/abs/pii/S1748013219304475 * 图片来源:/books/world-history/world-history-10-class-volobyev-2014/19 * 反应离子刻蚀的原理是在低气压（0.1~10Pa）下向反应腔体内通入反应气体，而后施加射频电场，反应气体会在射频电场的作用下发生辉光放电。辉光放电产生的等离子体产生自偏压作用使离子轰击阴极上的材料，在这一过程中活性离子也在发生化学反应，辅助物理刻蚀过程从而完成高精度的图形刻蚀。 * /en/technologies/icp-rie-inductively-coupled-plasma-reactive-ion-etching * 1./Article2257 * 通过终点检测装置的气体分析器进行质谱分析，检测出原子量符合设定值的粒子，其在空间中的浓度大小变化反映了刻蚀的进展。因此可以通过实际刻蚀材料来设定停止的目标值，从而可以精确控制刻蚀的位置 钽、铂和钴三种元素的刻蚀过程示意图。可以看到，在约150s时检测到钽元素的浓度开始下降，这表明钽层被刻蚀干净。而后在约270s，钴元素浓度上升，这表明钴层正在被刻蚀。以此类推可以分析出薄膜各层材料被刻蚀的时间，进而通过设定IBE设备的工作时间达到在特定膜层结束刻蚀的目的 2. doi:10.1103/PhysRev.7.355 * Meyer Burger Microsystems公司制造的IonSys 500型离子束刻蚀设备。设备主要包括刻蚀工艺模块、离子束源、气体控制系统、空压机与冷凝装置、真空系统和电源控制系统。 实际刻蚀的四英寸样品 表面的金色部分为金膜，紫色部分为刻蚀后暴露出的下层的SiN膜层。磁随机存储器MRAM的核心器件磁隧道结中通常含有钴、铁及钽等不同元素，IBE设备可以满足精细的微纳加工需求，得到了各大机构的广泛关注。 * 激光刻蚀是指利用激光直接在材料表面刻写结构的工作方式，激光加工方式从传统的激光热处理技术发展为利用短波长的准分子激光来实现特定材料的“冷加工”，再到目前所使用的飞秒激光器来实现冷加工。 等离子体刻蚀（Plasma Etch）是一种各向同性的化学反应刻蚀，刻蚀设备由平板电极结构和反应容器组成，样品置于阳极表面，因此离子轰击的效应可以忽略不计，通过将样品置于等离子体中使刻蚀样品与具有化学活性的等离子体充分反应以达到刻蚀效果。 * 图片来源:/books/world-history/world-history-10-class-volobyev-2014/19 * 4.3.1 光学曝光设备 EUVL系统原理图 极紫外光刻机 ASML TwinScan NXE: 3400B型EUV光刻机 上海微电子SSX600/200光刻机实物图 EUV设备使用波长为13.5nm的极紫外射线，设备分辨率可以显著提高。 4.3.2 电子束光刻设备 电子束曝光（Electron beam lithography, EBL