微电子工程的超临界二氧化碳技术平台.pdfVIP

第五届全国超临界流体技术学术及应用研讨会论文集 微电子工程的超临界二氧化碳技术平台 王涛 清华大学化学工程系北京100084 摘要：综述了超临界二氧化碳在微电子37．程中的应用，包括：光刻保护剂剥离、金属薄膜沉积、纳微结构 的干燥、薄层涂覆、纳微尺寸显影，低／超低介电膜制造、硅片表面硅烷化和干法刻蚀等方面。超临界二 氧化碳独特的物理化学性质及对环境的友好性，为微电子加工过程提供了技术和环境双赢的新平台。 由于对有毒化学品的排放以及水和溶剂的消耗的要求日益严格，微电子工业迫切需要在主要生产 工序中减少甚至消除化学品和水的使用。在半导体芯片工业中，每生产2克重的芯片就要消耗32公斤 纯水、700克超纯气体、16公斤矿物燃料，以及72克包括强酸强碱和有机溶剂的化学品”1。一个典型 的半导体工厂每天要消耗2300M3水和好几立方米的有机溶剂”1。二氧化碳是无毒、不燃、而且在大多 数条件下不会起反应，也不会留下液体废物，对环境友好，因此可以作为有机溶剂和化学品水溶液的替 代品应用于许多微电子加工过程中。超临界二氧化碳技术平台不仅能够改善环境和健康安全性，而且能 够提供许多新型的工艺技术和材料生产技术。尽管超临界流体技术已在许多领域中得到了应用，但在微 电子工业界它仍然被认为是一个全新的技术平台。本文综述有关文献资料，介绍在微电子加工中具有良 好前景的若干超临界二氧化碳技术，从旋转涂覆、纳微尺寸显影、光刻保护剂剥离、纳微结构的干燥、 金属薄膜沉积、低／超低介电膜制造及硅片表面硅烷化等方面阐明超临界二氧化碳技术平台在微电子工 程中的适用性和生命力。 一、旋转涂覆 um)，其厚度的变化不 在半导体集成电路制造中，需要在硅片表面形成光刻保护剂的薄膜(o．2—10 能大于o5％口1。高质量的薄膜对于半导体器件的制造至关重要，只有形成了高质量的光刻保护剂的薄 膜才可能进行后续的爆光、显影和刻蚀等步骤以产生现代集成电路所必须的复杂构型。尽管光刻保护剂 化学、爆光技术和刻线技术在不断进步，旋转涂覆的基本工艺却从1950年代以来基本不变。然而，随 着微电子工业向着硅片直径大于300ram和157nm紫外光光刻方向进展，就必须实施新技术以革新旋转 涂覆工艺。 常规的光刻保护剂对157nm辐射的不透明性是成功实施157rim光刻的主要障碍。具有高光密度的 光刻胶不能使辐射有足够的透过量，而阻碍光化学反应。尽管大多数聚合物在157nm都有很高的光吸 收率，但高氟聚合物相对要透明。因而，高氟聚合物很有希望作为新一代的l57rim光刻胶㈣。虽然，多 数高氟聚合物在常用的有机溶剂中很难溶解，但它们在超临界或液体C02中却有很高的溶解度。如果 在设计这些聚合物时就考虑到其在CO：中的溶解度，就完全可能在相对温和的条件下形成这些聚合物 的高难度C02溶液。超临界或液体C02很适合替代旋转涂覆中所用的常规溶剂。由于在临界点附近CO。 的粘度很低，用它做溶剂就可以形成很薄的涂层。常压下C02是气体，通过减压就可以快速扩散出聚 合物膜。相反，常规有机溶剂通常会残留在膜中，需要烘焙去除溶剂并对膜进行退火。 用超临界或液体C02进行光刻胶的涂覆可以与其他的工序相结合，以构成一个完全使用CO：．包 括光刻胶的旋转涂覆、显影、干燥和剥离的完全无溶剂的“干法”光刻工艺”】。 二、纳徽尺寸显影 超临界CO!是氟聚合物光刻胶的理想的显影介质。用C02直接显影光刻胶不仅可以消除化学品的 使用，而且可以减少工艺步骤(干燥和显影合二为一)，从而构成更清洁和低成本的光刻工艺。由于超 临界C02的溶剂能力可以通过温度压力很容易地调节，用它做显影溶剂可以获得更高的分辩率。在超 临界CO：显影后的直接干燥，可以保证高纵横比的复杂构型不塌陷。 若干氟聚合物光刻胶可以用C02直接显影。例如，含氟异丁烯酸嵌段和酸敏的四羟基吡喃(THPA) 93nm紫外光和电子束爆 嵌段构成的嵌段共聚物光刻胶是C02可溶的，对这种化学增强的光刻胶通过1 光形成的负映像可以用纯c02显影‘”。爆光后，THPA嵌段转化为极性更强的异丁烯酸而不溶于超临界 CO：。聚合物在超临界C02中的溶解度和选择性可以通过改变分子链的长度和氟含量调节。通常含氟以 增加透明度的157