LED EL光谱的干涉问题.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6% ) ##( ) ， ， ， SB2 ,6% 3B , ) JDD:?DT ##( （ ） )###9’#K##(K6% ) K%(5#9#6 1NO1 7PQR-N1 R-3-N1 ##( N=;. , 7=UM , RB , 硅衬底垂直结构!#$%’ 多量子阱发光二极管 电致发光谱的干涉现象研究! ! 熊传兵 江风益 王 立 方文卿 莫春兰 （南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心，南昌 ##$% ） （晶能光电（江西）有限公司，南昌 ##’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##( $ )( ##( % )( 测试了硅衬底垂直结构芯片在不同空间角度上的电致发光（ ）谱 指出硅衬底垂直结构 多量子阱发 *+ , -./0123 光二极管的 谱中多个峰型来源于干涉现象，而不是来自于多个阱层的发光 干涉峰的疏密反映 型层厚度的一 *+ , 4 致性，干涉现象的强弱反映 型欧姆接触层反光能力的强弱 芯片法线方向附近发光最强干涉现象最明显，芯片侧 4 , 边的发光几乎没有干涉现象且发光强度最弱, 关键词： ，发光二极管，垂直结构，电致发光 -./0123 ： ， ， ， (%)) %(#* %5#+ %(567 %(5#8 空间角度上的电致发光（ ）谱的谱型及光强分布 *+ , )F 引 言 F 实 验 近几年，在硅衬底上生长 -./0123 多量子阱 （ ）发光二极管（ ）已成为一个研究热点，并 本文研究的垂直结构芯片是用外延片压焊和湿 GHI +*J ［— ］ 且取得了显著的进展) % , 如果将硅衬底上生长的 法腐蚀相结合的技术获得的-./0123 GHI +*J 芯 片，其结构包括 及 缓冲层、 型 层、 -./0123 +*J 薄膜转移到新的衬底上制成垂直结构 123 /03 . /03 6 个周期的 多量子阱层和 型 层，本 的+*J，就可以克服同侧电极结构器件的某些缺点， -./03K /03 4 /03