低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型.pdfVIP

华 南 理 工 大 学 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) 第 38卷 第 1期 J ou rna l of S ou th C h ina U n ive rsity of Techno logy V o l. 38　N o. 1 20 10年 1月 (N atu ra l S c ience Ed ition ) J anuary　20 10 文章编号 : 1000565X (20 10) 0 100 14 04 　 低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型 姚若河 　欧秀平 (华南理工大学 电子与信息学院 , 广东 广州 510640) 摘 　要 : 对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析 ,将表面势开始偏离亚阈值区、沟 道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密 度为单指数分布 ,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解 ,推导出一个多晶硅 薄膜晶体管阈值电压解析模型 ,并采用数值仿真方法对模型进行了验证. 结果表明:新模 型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合. 关键词 : 多晶硅 ; 薄膜晶体管 ; 阈值电压 ; 表面势 中图分类号 : TN 32 1　　　　 do i: 10. 3969 / j. issn. 1000565X. 20 10. 0 1. 003 　　场效应晶体管器件的阈值电压通常指反型沟道 TFT中 , 由于晶粒间界势垒的存在 ,其电学特性与金 [ 1 ] ( ) 开始形成时的栅电压 ,有限晶粒大小薄膜晶体管 属氧化物半导体场效应晶体管 MO SFET 存在很大 ( ) TFT 的阈值电压一般被定义为沟道表面处反型载 的不同. 低栅压时晶粒间界势垒的最大值对应于迁 ( ψ ψ) 移率的极小值 ,随后晶粒间界势垒随栅压的增大而 流子密度与衬底掺杂密度相等 即 s = 2 f 时所对 应的栅压 [ 24 ] . Gup ta[ 3 ] 建立了沟道内仅包含一个晶 降低 ,迁移率逐渐增大 ; 随着栅压的继续增大 ,还需 粒间界 的大 晶粒 多 晶硅 TFT 阈值 电压模型. L in 考虑高栅压所引起的有效迁移率退化等因素. 因此 , 等 [ 4 ] 用准二维模型建立了与晶粒间界陷阱态密度 随着栅压的增加 ,多晶硅 TFT 的有效迁移率将出现 及晶粒大小相关的阈值电压模型. 但上述模型都是 先从小到大 ,再从大到小的变化 ,此时线性区外推法 [ 8 ] 2 2 基于衬底高掺杂的情况. 在实际应用中 ,多晶硅 TFT 将不再适用. 二次导数法 将线性区 d Id s / dVgs的最 多为低掺杂或非掺杂的 ,其 ψ非常小 ,且沟