多层硅纳米线阵列的制备转移及其SERS、光电应用.pdf

多层硅纳米线阵列的制备转移及SERS、光电应用 中文摘要 中文摘要 硅纳米线阵列（silicon nanowires, SiNWs ）作为一维半导体纳米材料的典型代 表，由于其优异的物理性质和化学性质，在纳米光电子器件，新能源以及生物检 测等方面具有巨大的应用价值。但是在已报道的研究中，多数研究组以SiNWs 同 生长基底作为整体构筑器件。这使得SiNWs 器件成本较高，并且不利于构筑柔性 轻薄器件。因此发展一种使SiNWs 脱离生长基底，并充分利用生长SiNWs 单晶硅 基底的方法，在SiNWs 器件向柔性方向发展、降低应用成本等方面有重要意义。 在本论文中，我们提出了一种空气中加热辅助金属化学刻蚀（MCEE ）的方法 制备分层的 SiNWs，利用卷对卷转移技术实现 SiNWs 的大面积转移，并研究了 SiNWs 的表面增强拉曼（SERS ）和光电性能。具体研究内容如下： (1) 发展一种在空气中加热辅助MCEE 法制备分层 SiNWs，实现 SiNWs 的 转移，并对分层SiNWs 的制备机理进行研究。我们在不同晶向、不