氮化硅陶瓷的制备及进展 副本.pdfVIP

第24卷第3期 山东陶瓷 V01．24No．3 2001年9月 SHANDONGCERAMlCS Sep．2001 ·综 述· 氮化硅陶瓷的制备及进展 祝昌华，蒋俊，高玲，杨海涛 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉430070) 摘要：本文着重介绍了氮化硅陶瓷的制备工艺、提高氮化硅陶瓷高温性能的方法以及改善 其断裂韧性的途径，并展望了氮化硅陶瓷的研究前景。 关键词：氮化硅陶瓷；制备工艺；高温性能；断裂韧性 文献标识码：B 中图分类号；,TQl74．75+8．12 量气孔，力学性能受到较大的影响。 1前言 2．2常压烧结(PLS) 氮化硅陶瓷由于具有高比强、高比模、耐高 常压烧结氮化硅是以高纯、超细、高a相含量 温、抗氧化和耐磨损以及抗热震等优点，在高温、 的氮化硅粉末与少量助烧剂混合，通过成形、烧结 高速、强腐蚀介质的工作环境中具有特殊的使用 等工序制备而成。在烧结过程中，a相向液相溶 价值。近年来，国内外竞相对它进行研究和开发， 使其应用范围不断扩大。但其高的制备成本、高 利于烧结过程的进行。烧结时必须通入氮气，以 温下性能的降低和固有的脆性还是极大的限制了 抑制S远N4的高温分解。常压烧结可获得形状复 它的应用。本文从氮化硅陶瓷的制备工艺、提高 杂、性能优良的陶瓷，其缺点是烧结收缩率较大， 氮化硅陶瓷高温性能的方法以及改善其断裂韧性 一般为16％～26％，易使制品开裂变形引3。 的途径等方面来介绍氮化硅陶瓷的研究进展。 2．3重烧结(Ps) 将反应烧结的si3N4烧结坯在助烧剂存在的 2氮化硅陶瓷的制备工艺 情况下，置于氮化硅粉末中，在高温下重烧结，得 由于Si，N4是强共价化合物，其扩散系数、致到致密的Si，N4制品。助烧剂可在硅粉球磨时引 密化所必须的体积扩散及晶界扩散速度、烧结驱 入，也可用浸渍的方法在反应烧结后浸渗加入。 动力很小，这决定了纯氮化硅不能靠常规固相烧 由于反应烧结过程中可预加工，在重烧结过程中 结达到致密化。所以除用Si粉直接氮化的反应 的收缩仅有6％～10％，所以可制备形状复杂，性 烧结外，其他方法都需加入一定量助烧剂与si3N4能优良的部件。 粉体表面的Sio，反应形成液相，通过熔解—析出 2．4热压烧结(1ip) 机制烧成致密材料l卜2|。目前制备sbN4陶瓷的 把氮化硅粉末与助烧剂置于石墨模具中，在 方法主要有以下几种： 高温下单向加压烧结。由于多l,JJn压力提高了烧结 2．1反应烧结(RS) 驱动力，加快了旷，8转变及致密化速度。热压法 可得到致密度大于95％的高强氮化硅陶瓷，材料 反应烧结氮化硅是把Si粉或Si粉与SbN4粉 的混合物成形后，在1200℃左右通氮气进行预氮性能高，且制造周期短HJ。但是这种方法只能制 化，之后机械加工成所需件，最后在1400。C左右造形状简单的制品，对于形状复杂的部件加工费 进行最终氮化烧结。在此过程中不需添加助烧剂 用高，而且由于单向加压，组织存在择优取向，使 等，因此高温下材料强度不会明显降低。同时，反 性能在与热压面平行及垂直方向有差异引5。