晶体管红外热像图的热谱分析方法.pdfVIP

第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 晶体管红外热像图的热谱分析方法 朱阳军 　苗庆海 　张兴华 　卢烁今 ( 山东大学物理与微电子学院 , 济南 　250 100) 摘要 : 使用自编的分析软件 ,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析 ,给出了晶体管发射区热 谱和发射区一维温度分布曲线. 一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况 ,并可直接读取发射区的峰 值结温和最低结温 ,还可以计算出平均结温. 晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方 法. 关键词 : 晶体管热谱 ; 峰值结温 ; 红外热像图; 归一化面积 PACC : 7300 ; 6500 ; 7220 中图分类号 : TN 32 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) ( μ 365mm ×365mm 发 射 极 宽 244 m , 基 极 宽 1 　引言 μ μ ) ( ) 20 1 m , EB 间距 203 m . 可以看出图 1 a 发射区 半导体功率器件的结温均匀与否是影响其热学 温度比较均匀 ,其对应的偏置条件是 20V , 1A ; 图 1 (b) 表示芯片热量开始区域集中 ,温度分布已不均 性能、电学性能、可靠性以及寿命的重要因素 ,人们 ( ) [ 1～4 ] 匀 ,其对应的偏置条件是 40V ,1A ; 图 1 c 表示芯片 对这方面的研究越来越深入 . 迄今为止 ,研究功 由于热量过度集中而形成明显的热斑 ,芯片温度分 率晶体管发射结温度均匀与否的最好方法是摄取红 布很不均匀 ,其对应的偏置条件是 50V ,1A . 外热像图. 红外热像图虽然只是芯片表面的温度分 所用样管的有源区即发射区可以看成是由许多 布图而不是发射结的温度分布图 ,但是由于发射结 发射极条组成 ,如图 1 所示. 每一个发射极条当作一 是浅表结 ,距离表面很近 ,在忽略表面至发射结之间 个子晶体管 ,简称子管 ,那么一个晶体管可以看作由 温差的情况下 ,可以近似地把表面温度当作是发射 若干个子管并联而成[ 6 ] ,其发射区也是由子发射区 结结温来看待. 并联而成 ,把每一个子管发射区的温度状况累加起 尽管红外热像图能直观地给出整个芯片的温度 来即可得到整个晶体管发射区的温度分布状况[ 5 ] . 分布以及