溅射沉积AlN薄膜结构与基片种类的关系.pdfVIP

第 卷第 期 压 电 与 声 光 ) 1 1) ./0 2/ 年 月 ### 3 1### ;5:= ?:8@=;884;5:= ?AB CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC 文章编号!%##)$))’###*#)$#D+$#E 溅射沉积FGH 薄膜结构与基片种类的关系 %, % 许小红 武海顺 张聪杰 金志浩 , , , 西安交通大学 材料学院 西安 山西师范大学 化学系 临汾 ’%I , %##)(JI , #)%##)* 摘 要 采用高真空直流磁控反应溅射成功地在 种基片上制备出多晶择优取向的 薄膜 结果表明 种 ! D ?02 - ,D 基片均可生长 面择优取向的 薄膜 并且具有良好的纵向组成均匀性 表面粗造度小 晶粒均匀致密 在金 ’%##* ?02 , , , - 属电极和 片上沉积的 薄膜结晶度 取向性 衍射强度差别较小 两者的结构均优于在盖玻片上沉积的 =K ?02 L L , ?02 薄膜- 关键词 薄膜 基片 结构 磁控反应溅射 ! J J J ?02 中图分类号! )E 文献标识码! ;M ? NOPQRSTUVOWSXYYSZOTUYOWS[RYYS\SVONP]TO\^OSTUVOWSNO\PZOP\ST UYFGH _WRV‘RGaT %, % d , d , d , d bc bR^UWUVe fc g^RTWPV hgFHi jUVekRS lmH hWRW^U ’%I , x , x %##)(, JI , =no//0/pqrstuKr0vwKryzKr/s/yB@yK{tuvKs| wKry :oKyr }t~rus!tys/p:ot!Kvsu| , #)%##), * =oryK2/u!r0@yK{tuvKs| 9Kypty :oKyr ! ’%##* F]TO\^ZO ?0A!KyA! yKsu