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超细粉体二硫纶·菲咯啉二酮溷配钴(Ⅱ)配合物的荧光特性和光敏性研究.pdfVIP

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超细粉体二硫纶·菲咯啉二酮溷配钴(Ⅱ)配合物的荧光特性和光敏性研究

维普资讯 第23卷 第1期 感 光科 学 与光化 学 V01.23 No.1 2005年1月 PhotograDhicScienceandPhotochemist: Jan..2005 超细粉体二硫纶 ·菲咯啉二酮混配钴(Ⅱ) 配合物的荧光特性和光敏性研究 潘庆才,彭正合 (1.黄淮学院,河南驻马店463000;2.武汉大学化学与分子科学学院,湖北武汉430072) 摘 要:报道了二氰基二硫纶 ·菲咯啉一5,6一二酮混配钴(Ⅱ)配合物CoLL(L= m t2一.mnt2一为1,2一二氰基乙烯一1,2一二硫醇离子.L phen-5,6一dione,1,10一菲 咯啉一5,6一二酮)的合成和标题配合物的电子吸收光谱、电子发射光谱.研究了 CoLL对CdS的光敏化作用与其电子光谱间的关系. 关键词:二硫纶;菲咯啉二酮;钴;配合物;光敏性 文章编号:1000—3231(2005)01—0055—06 中图分类号:(364 文献标识码:A 二硫纶和二亚胺所形成的均配配合物、混配配合物以及大环金属聚合物大多具有优 异的光物理和光、电化学特性,因而受到物理、化学、材料科学等领域中科技工作者的广 泛关注,特别是它们的光电功能性的应用引起了国内外科学家的高度重视_lj.为了探讨 优异的光一光转换、光一电转换功能的功能材料,作者近年来设计和合成了一系列二硫纶二 亚胺混配金属配合物M(S)(N—N),研究了它们的结构、性质、功能之间的关系[3-5J.通 过研究发现,这类配合物有一些在外场诱导下呈现的配体间电子转移效应和荷移跃迁的 跃迁能量与半导体材料CdS禁带宽度相匹配,对CdS具有光敏化作用,可提高CdS的光 转换效率和降低其光记忆性,这对于开发廉价的宽禁带半导体材料硫化镉CdS在太阳能 电池等高科技领域中的应用显然具有重要的理论价值和潜在应用价值. 本文简要报道新型二硫纶二亚胺混配金属配合物Co(mnt)(phen一5,6一dione)的合成 及电子吸收光谱和电子发射光谱的实验数据;并将这种功能性配合物掺杂到CdS半导体 材料中,采用涂膜技术制成复合膜CoLL-CdS-PVA,研究膜的暗电导、光电导及光敏性; 探讨CoLL对CdS的光敏化作用与其电子光谱间的关系. 1 实验部分 收稿日期:2004.06—28;修回日期:2004.10.06. 基金项目:国家自然科学基金资助课题;河南省教育厅重点科研资助项目(2000150047). 作者简介:潘庆才(1957.),男,教授,理学硕士,主要从事配位化学和功能材料方面的研究,通讯联系人,E-mail panqc2004@yahoo.com.cn. 55 维普资讯 感 光 科 学 与 光 化 学 第23卷 1.1试剂与仪器 合成、测试中所用的试剂均为分析纯,并经干燥除水;CdS为光谱纯,PVA(聚乙烯 醇)型号1799.碳、氢、氮元素含量使用美国PerkinElmer240C型元素自动分析仪测定, 金属钴含量用EDTA滴定;红外光谱使用美国Nicolet170SX型FT-IR光谱仪测定;电子 吸收光谱使用日本岛津UV-240型分光光度计测量;电子发射光谱使用日本日立RF-850 型荧光光谱仪测量;光电导使用自组装装置测量. 1.2 配合物合成和结构 化合物Na2(mnt)和phen-5,6一dione以及中间配合物Co(phen-5,6-dione)C12按文献 方法_6J合成与表征. 目标配合物Co(rant)(phen一5,6-dione)的合成:将0.4165g(2.2368mmo1)Na2(mnt) 溶于10mL甲醇,0.7605g(2.2366reoto1)oc(phen-5,6-dione)C12溶于10mLDMSO,在 加热和强烈搅拌下将前者滴人后者,然后加入大量的水,继续搅拌0.5h,过滤.滤饼用水 洗至洗出液中不含Cl一后,

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