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* 第一章 1.半导体材料的一般特性性 2.回旋共振实验原理.Si,Ge的实验现象. 3.比较Si,Ge,GaAs能带结构的特点. 4.重空穴,轻空穴的概念. 第二章 1.本征半导体和本征激发. 2.掺杂对半导体导电类型及导电能力如何影响的? 3.”价键模型”与”能带模型”之间的对应关系 4.何谓浅能级杂质?深能级杂质?各自的作用 1.状态密度,导带的有效状态密度Nc,价带的有效状态密度Nv概念. 2.热平衡时, 的表达式 3 的物理意义和应用范围 4 n型,p 型,杂质半导体的电中性方程 5.解释载流子浓度随温度的变化关系. 6.了解温度、杂质浓度对费米能级位置的影响 7.何谓非简并半导体、简并半导体？简并化条件？ 8.简并半导体的能带结构会发生何变化？ 第三章 第四章 1.何谓漂移运动？迁移率的定义 2平均自由程和平均自由时间的概念 3半导体的主要散射机制？温度对它们的影响，原因？ 4解释迁移率与杂质浓度、温度的关系 5 为何要引入电导有效质量的概念。 6 强电场下Si、Ge和GaAs的漂移速度发生变化，解释之。 7 何谓热载流子？ 8 说明耿氏振荡的形成机制。 第五章 热平衡态、非平衡态、稳态概念 何谓准费米能级，为何要引入准费米能级？ 何谓直接复合？间接复合？ 试从直接复合的非平衡载流子寿命公式出发说明小注入条件下，寿命为定值。 从直接复合的非平衡载流子寿命公式出发说明小注入条件下，寿命为定值。 从间接复合的净复合率公式出发说明深能级是有效的复合中心，最有效的复合中心位置。 已知间接复合的非平衡载流子寿命公式的一般形式，推导不同费米能级位置下的寿命公式 何谓扩散运动？扩散系数的意义 爱因斯坦关系式？意义 扩散长度和牵引长度的定义 会运用连续性方程 试述平衡p-n结形成的物理过程..它有什么特点?画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向. 2.内建电势差VD受哪些因素的影响?锗p-n结与硅p-n结的VD哪个大?为什么? 3.试比较平衡p-n结,正向偏置p-n结,反向偏置p-n结载流子分布特点、运动特点及能带特点. 4.写出p-n结整流方程,并说明方程中每一项的物理意义? 5.p-n结的理想伏-安特性与实际伏-安特性有哪些区别?定性分析原因 6.p-n结为什么有电容特性?与普通电容相比有哪些相似之处?有哪些区别? 7. p-n结击穿主要有哪几种?说明各种击穿产生的原因和条件.影响它们的因素有哪些? 第五章 *