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由于自发辐射光的方向是杂乱的，因此LED的发散角较大，垂直PN结的方向 ，平行PN结的方向 发光二极管的响应速度受制于载流子的自发复合寿命，因此减少少数载流子的寿命是提高响应速度的有效途径。一般采取高掺杂和高注入电流密度。 * 半导体激光器 Laser Diode, LD 和其他激光器相比，LD具有体积小，重量轻，驱动功率低，输出效率高，调制方便（直接调制），寿命长和易于集成等一系列优点而得到了广泛的应用。 法布里-珀罗 F-P 型LD 分布反馈 DFB LD 分布 Bragg 反射器 DBR LD 量子阱 QW LD 垂直腔面发射激光器 VCSEL 分类一 分类二 同质结 单异质结 双异质结 * 同质结LD能带结构 与其他激光器一样，要产生激光必须有增益介质、谐振腔和泵浦源，在一定条件下就可以产生激光。同质结LD对半导体材料的要求是重掺杂而且必须是“直接带隙”的半导体材料 * 当电流加大到一定值，准费米能级 和 的能量间隔大于禁带宽度 时（伯拉德-杜拉福格条件）时，PN 结中出现一个增益区（有源区），在这个区域内，价带主要由空穴占据，而导带则主要由电子占据，即实现了粒子数反转。 同质结LD工作原理 * 电子由导带跃迁至价带，受激辐射将起主导作用，发出的光是激光。 由于重掺杂，简并半导体的有源区束缚电子和空穴的能力较弱，需要很大的注入电流密度才能实现粒子数反转，所以难以实现室温下连续工作，只能在低温下工作。 为了降低电流密度阈值，人们研究了单异质结和双异质结半导体激光器。 同质结LD的特点 * 异质结激光器能带示意图 异质结LD能带结构 * 异质结是指由两种带隙宽度不同的半导体材料组成的 p-n 结 利用异质结特别是双异质结可以将电子和空穴更好地束缚在有源区的势阱中。 不同半导体材料的带隙差也使有源区的折射率高于邻近的介质，这样使光子也限制在有源区内，载流子和光子的束缚使得激光器的阈值电流密度大幅度下降，从而实现了室温连续工作。 异质结LD特点 * 半导体激光器的基本结构是双异质结 DH 平面条形结构. 双异质结平面条形LD的基本结构 F-P腔LD的结构 * 很难将光导引到光纤 增益导引半导体激光器：沿激光长度方向放置一个窄的条形电极，将注入电流限制在一个窄条里。 缺点：光功率增大时，光斑尺寸不稳定，模式稳定性亦不高。 折射率导引半导体激光器，引入折射率差。结构简单，制造工艺不太复杂，辐射光空间分布稳定性高，被大多数光波系统使用。 * 激光发射中心波长可由 得到 F-P谐振腔内要使光建立稳定的振荡，必须满足一定的相位条件和振幅条件。 * 相位条件使发射光谱波长得到选择 * 振幅条件决定了半导体激光器的电流阈值 F-P腔LD的工作条件 * 相位条件是： 所以满足相位条件的波长为 式中，n 是有源区介质的折射率；q 1, 2, 3, 4, …是纵模模数。 * 振幅条件是： 式中，gth 为增益系数阈值； a 为有源区的损耗系数；R1, R2 是两个镜面的反射率。 由此可知增益阈值为 增益系数大致与注入电流密度成正比，因此半导体激光器是阈值器件。 * 张伟利 副教授 E-mail: wl_zhang@uestc.eud.cn 电子科技大学通信与信息工程学院科B209 座机电话号码 * - 1.激光原理 - 2.激光器种类 - 3.激光技术 * 激光原理与技术 * 2.4 半导体光源 A. 基础概念 B. 发光二极管（LED） C. 激光二极管（LD） 物理尺寸 输出模场 线性输出 直接电流调制 响应快 高调制带宽 输出功率 窄线宽 稳定性和效率 驱动电路 可靠性和成本 * 常用光源LD LED 光源要求 物体分类 导 体：导电率为105s.cm-1，量级，如金属 绝缘体：导电率为10-22~10-14 s.cm-1量级，如：橡胶、云母、塑料等。 半导体： 导电能力介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、砷化镓等。 * 半导体特性 * 掺杂特性 温度特性 光照特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 温度增加使导电率大为增加 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 光敏器件 光电器件 光敏电阻 光敏开关 激光器 * IV族半导体材料 ----硅Si，锗Ge III-V族化合物半导体材料 ---GaAs, InP，GaAlAs，InGaAsP II-VI族化合物半导体材料 ----GdTe, ZnTe, HgGdTe, ZnSeTe 半导体材料 本征半导体 “完全”纯净、结构完整的半导体晶体。 物理结构上呈单晶体形态。 常用的本征半导体 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 * 本征半导体的原子结构和共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共