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用于甚高频率的 半导体技术 毫米波长范围（30-300GHz ）内除了其较低端外， 半导体材料的特性 还没有很好地被利用。而在成像，安全，医疗，和短距 运行在很高频率下的电子器件所表现的性能主要与：1) 离无线传输以及数据速率不断提高的光纤传输中的新应 组成半导体的材料特性和 2)器件的结构有关[3] 。Si ， 用可能会迅速地改变这种状态[1]，[2]。在过去的三十年 GaAs 和InP 是目前具有截止频率在300GHz 及以上的器 里，III-V 技术（GaAs 和InP ）已经逐渐扩大到这个毫米 件所选择的材料。在表 1，人们给出了一些相关的表征 波范围中。新近以来，由于工艺尺寸持续不断地减小， 能隙，载流子输运特性和导热性的参数。同样也报道了 硅技术已经加入了这个“游戏”。 与InP ，GaN 和InAs 晶格相匹配的InGaAs 的特性。 在本文中，按照半导体特性和器件要求，对可用于 拥有一个足够大能隙（Eg1eV ）是很有利的，这 100-GHz 和 100-Gb/s 应用的半导体有源器件进行了综述。是因为它可以提供好的击穿特