硅工艺第4章 离子注入习题参考答案.pptVIP

第四章 离子注入习题参考答案 1. 试叙述离子注入掺杂技术与常规热扩散掺杂技术的不同之处。 1）掺杂纯度高； 2）注入剂量范围宽，同一平面内杂质分布的均匀性精度在±1％以内； 3）不受固溶度限制、掩模材料范围大； 4）可精确控制掺杂的浓度分布和掺杂深度； 5）掺杂温度低，可避免产生热缺陷； 6）横向扩散效应小； 7）易于实现化合物半导体的掺杂； 8）可通过氧化硅膜进行注入，可有效防止污染。 2. 离子注入技术的实施过程中包括注入和退火两个基本工艺过程。试描述退火工艺过程的工艺目的。 答 ：所谓退火，是一个工艺过程：将完成离子注入的硅片置于特定的温度下，经过适当时间的热处理，则可达到两个目的。第一个目的是使硅片由于高能离子注入而产生的表层晶格损伤部分地或绝大部分得到消除；另一个目的是使处于电离状态的掺杂离子得到激活还原为受主或施主状态，从而使少数载流子的寿命、迁移率得到恢复。 3. 离子在靶内运动时，损失能量可分核阻止和电子阻止，解释什么是核阻止、电子阻止？在一级近似下，两种阻止本领与注入离子能量具有何关系？ 答：核阻止即核碰撞，是注入离子与靶原子核之间的相互碰撞。因两者质量是一个数量级，一次碰撞可以损失较多能量，且可能发生大角度散射，使靶原子核离开原来的晶格位置，留下空位，形成缺陷。 电子阻止即电子碰撞，是注入离子与靶内自由电子以及束缚电子之间的相互碰撞。因离子质量比电子大很多，每次碰撞离子能量损失很少，且都是小角度散射，且方向随机，故经多次散射，离子运动方向基本不变。 在一级近似下，核阻止本领与能量无关；电子阻止本领与能量的平方根成正比。 4. 写出离子注入设备的各个组成部分，并解释质量分析器的工作原理？ 组成部分：离子源、质量分析器、加速系统、中性偏移器、聚焦系统、偏转扫描系统、工作室 质量分析器的工作原理：见课件 质量分析器工作原理 5. 注入离子在无定形靶纵向服从何分布，有何特点？ 6. 离子注入并在低于热扩散的温度下退火后，杂质纵向分布为什么会出现高斯展宽与拖尾现象？ 离子注入后会对晶格造成简单晶格损伤和非晶层形成； 损伤晶体空位密度大于非损伤晶体，且存在大量间隙原子和其他缺陷，使扩散系数增大，扩散效应增强； 故，虽然热退火温度低于热扩散温度，但杂质的扩散也是非常明显的，出现高斯展宽与拖尾现象。 * 光阑1 光阑2 洛伦兹力 进入质量分析器前的离子能量 进入质量分析器后的离子能量 向心力 从上式可知，满足荷质比 的离子可通过光阑2。 或者对于给定的具有荷质比为 eo 的离子，可通过调节磁场B 使之满足下式，从而使该种离子通过光阑2。 其余的离子则不能通过光阑2，由此达到分选离子的目的。 另外，若固定 r 和Va ，通过连续改变B ，可使具有不同荷质比的离子依次通过光阑 2，测量这些不同荷质比的离子束流的强度，可得到入射离子束的质谱分布。 特点 服从高斯分布： 1）在 x = RP 处的两边，注入离子浓度对称地下降，且下降速度越来越快。 2）注入剂量为 3）最大浓度Nmax位置在样品内的平均投影射程处 * * *