51单片机总线扩展 io口扩展_信息与通信_工程科技_专业资料.pptVIP

51单片机I/O口扩展 主要是以51单片机为例讲解单片机的IO口扩展原理 一：单片机存储器和I/O口 51 单片机的内部结构框图如图。在此，只着重介绍51单片机的存储器、4个I/O口和4跟控制线。 1：51单片机的存储器 51单片机的存储器，是由三个彼此独立的地址空间来组成的： ——256B的片内数据存储器地址空间 ——64KB的片外数据存储器地址空间 ——64KB的程序存储器地址空间 （1）程序存储器地址空间 在一般情况下，在51单片机程序存储器的64KB地址空间中，最低的4KB（0000H-0FFFH0)对于片内ROM和片外ROM是公共的，而1000H——FFFFH的地址空间是片外ROM专用。CPU专门提供一个控制信号/EA来区分片内片外ROM：当/EA接高电平时，单片机从片内ROM的4KB地址空间取指令，当地址超过0FFFH后，自动转向片外ROM取指令；当/EA为低电平时，CPU只从片外ROM取指令。 （2）数据存储器地址空间 片内数据存储器地址是00H——FFH，片外数据存储器地址范围是0000H ——FFFFH。 特别需要注意：64KB数据存储器RAM的地址空间和64KB程序ＲＯＭ的地址空间是重叠的，51单片机是通过不同的信号还选通ＲＡＭ和ＲＯＭ：当由片外ＲＡＭ读写数据时，用读写信号/RD或者/WR来选通；当由片外ROM取指令时，则采用选通信号/PSEN。 （2） 最后51单片机内部安排了21个特殊功能寄存器，这里只列出P0、P1、P2、P3（带有”*”表示寄存器是可以位寻址，这为51单片机的外部存储器扩展带来了极大的方便）。 2：单片机的I/O口 51单片机有4个并行I/O 口，分别命名为P0、P1、P2、P3，它们是特殊寄存器中的4个，每个I/O口即可以作输入，也可以作输出。 下面分别按照功能介绍。 ——P0：当不作系统扩展时，可作一般I/O使用，但需要外接上拉电阻来来驱动MOS输入；当作系统扩展时，P0担任地址（低8位）/ 数据复用的总线口，并且可直接驱动MOS电路而不必外接上拉电阻。 ——P1：是专供用户使用的I/O口。 ——P2口：当不作系统扩展时，可作一般I/O口使用；当作系统扩展时，作为高8位地址线用。 ——P3口:是双功能口。该口的每一位均可以独立的定义为第一I/O口功能或者第二I/O口功能（在作外部存储器扩展时使用P3.6和P3.7）。 三：片外总线结构 1：地址总线（AB） 地址总线宽度为16位（外部存储器直接寻址范围为64KB），P0口经地址锁存器 锁存后提供16位地址总线的低8位地址，P2口直接提供高8位地址 2：数据总线（DB） 数据总线宽度为8位，由P0口提供。 3：控制总线（CB） 控制总线由第二状态下的P3口和4根独立控制线组成。 四根控制线为： ——/PSEN : 外部取指控制。在访问外部ROM时， /PSEN信号会自动产生。 ——ALE : ALE是地址锁存允许信号。在访问外部存储器（RAM或ROM）时，通常用它的下降沿来锁存P0口送出的低8位地址信号。 ——/EA : /EA是访问外部存储器的控制信号。当/EA无效（高电平）时，访问内部ROM；当/EA有效（低电平）时，访问外部ROM。 ——RST ： RST是复位信号输入端。 Flash简介 Flash介绍： flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。 Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构。 NOR Flash 的特点是芯片内执行，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多。闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些；而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 NOR/ NAND Fla