PECVD介质膜性能研究.pdfVIP

维普资讯 ／ 第l7# 第3期0 发 光 学 报 Vo1．17，No3 Sept．， 1996 _、 、 L 、 ／ nU PECVD介质膜性能研究 崔翔天 楚振 高鹏涛 王志军 常 威 郏喜凤 孟宪信 (中国科学院长春物理研究所 ．长春 130021) 摘 要 ^ ／本文讨论了等离子体化学气相沉积(PEcv。)方法生长的氮化硅薄膜的电学性能随生长 条件的变化关系，得到了性能良好的氮化硅薄膜．结果表明这种彳r质膜达到了薄膜 电致发光 器件所要求的各个性能指标，是一种具有重要应用价值的彳r质薄膜材料． 抽 调 一 PECVD ’ 4 ，{L 1 引 言 交流薄膜 电致发光 (ACTFEL)显示在平板显示领域具有很重要的地位，自介质层被 日入【薄膜 电致发光器件 以来，介质材料 已由最初的 Y：Oa发展到现在的多种介质材料如 Si，N。等．而绝缘层性能是影响薄膜 电致发光器件性能的关键一环 ．表 1是几种常用的 单层介质薄膜的性质对 比． 丧 1 单层开质的开电性质 Table1 Dielectricprop~rt{esofsingle-layerdielectrics、 注 ： 为赣射 {击沉积的氮化硅薄膜 从表 1可 以看 出，氮化硅薄膜具有较高的电荷存贮密度，是一种优 良的介质膜． Ta：O 也具有 良好的介 电性能 ，但 由于其蔓延性击穿的存在，必须与其它介质膜配台才 能使用．氮化硅膜可 以单独作为薄膜 电致发光器件的介质层使用，但通常溅射的氮化硅 薄膜 由于应力较大，应用受到限制，而 PECVD方法生长的氮化硅薄膜克服了这种缺点． 薄膜 电致发光器件的光输出可用下式描述： l095年 l2月 5日收到 维普资讯 第 3期 崔翔天苷 ：PECVD介质膜性能研究 23l L0c ×f／td 其 中， 是介质的介 电常数 ，f和 “分别为发光层和介质层的厚度 ，由上式可以看 出，要 有大的光输出，对介质的要求就是 大而 小，但 }d受到介质击穿条件的限制 (即击穿 电压必须大于器件工作时介质层电压降)，只有击穿强度 (EB)较高时才能取较小的fd值． 因此，大的介 电常数 cd和高的击穿强度 是保证 TFEL器件正常工作并有高效率的前 提． 介质膜的电学性质包括介质膜 的电导、介 电常数、损耗角正切和击穿强度．从 TFEL屏对介质的要求来看，介 电常数和击穿强度是最重要的两个参数．PECVD法生 长的siN 薄膜多作钝化膜和保护层使用，而把这种方法生长的SiN；膜应用于 电致发光 器件 ，尚属新的内容．