毫米波倍频器研究和设计.pdf

摘 要 随着通信系统的工作频率不断向毫米波亚毫米波频段的发展，要获得稳定性高和相噪特 性良好的毫米波源变得至关重要。但是，直接获得频率很高的频率源是比较困难的，而通过 倍频器可以基于频率较低的信号源实现非常高的频率源输出。倍频器的输出是基波频率的谐 波频率，这样可以降低输入信号的频率，在工艺等各方面比较成熟的低频段进行。毫米波倍 频器是毫米波系统中常用的部件，它是频率合成器和倍频链等毫米波设备的关键模块。近年 来，倍频器也越来越多的用在毫米波超外差接收机的本振源中。随着倍频器的应用日益广泛， 国内外对倍频器的研究也越来越多。鉴于此，本文的主要研究内容是基于先进的 GaAs 工艺 和成熟的硅CMOS 工艺分别设计了两种工作于60GHz 频段的二倍频器。 本文对毫米波倍频器的国内外研究现状进行了调研，综述了毫米波倍频器的发展及设计， 比较了各种常见拓扑结构的优劣，并以此为基础确定了本文基本的电路拓扑结构；同时分析 了有源倍频理论；然后利用ADS Momentum 和HFSS 对传输线、电感等无源器件进行了电磁 场仿真及优化，为倍频器的版图设计提供了基础。 基于TSMC 90nm CMOS 工艺，本文设计了一种低功率超紧凑的毫米波二倍频器。这个 倍频器采用有源晶体管来产生输入基频信号的谐波，并在输出端抑制无用的信号。该倍频器 的优点是转换损耗低、结构紧凑、芯片面积小、电路拓扑结构十分简单。经过设计规则检查 （DRC ）、版图与电路图一致性检查（LVS ）之后，当输入频率在27～33 GHz 范围内时，电 路后仿真结果为：转换损耗小于5 dB，基波抑制超过25 dB 。栅极偏置电压为0.45 V 和漏极 2 偏置电压为1.2 V 时，倍频器的总直流功耗是9 mW 。芯片面积（包含pad ）为0.27 mm 。 基于GaAs 工艺，本文设计了一种输出频率为54～66 GHz 的有源单端毫米波二倍频器。 对整体电路进行了全波仿真，并实现了良好的性能。整体电路的全波仿真结果为：在工作频 带27～33 GHz 内，输出功率大于0 dBm，变频损耗小于5 dB，基波抑制大于 15 dB，三次谐 2 波抑制大于25 dB 。芯片总面积（含pad ）为0.529 mm 。 关键词：毫米波，CMOS，砷化镓，二倍频器 I ABSTRACT With the development of millimeter-wave band communication system, its working frequency gets higher and higher. High stability and good phase characteristics of millimeter-wave system source are essential. It is hard to get the millimeter-wave frequency source directly, however, the millimeter-wave multiplier could generate the high output frequency signal through the low input frequency signal. In this way, the millimeter-wave multiplier could be designed using the more mature process. Millimeter-wave multiplier is generally used in millimeter-wave system, and it is the key module of millimeter-wave devices such as frequency synthesizer and multiplier chai