关于半导体一维拟中性飘流扩散模型的研究.pdfVIP

摘 要 关于半导体器件的数学模型有两大类。一类是微观模型，即以半导体玻尔兹曼方 程为基础的动力学模型。另一类是宏观模型，其直接描述电荷密度，电流密度，能 量密度和温度等一些宏观量。最具代表性的宏观模型是关于半导体的流体动力学模 型。通过时间的松弛极限得到流体动力学模型的一种简化形式，即飘流扩散模型。 飘流扩散模型是应用于半导体模拟和实际最中早也是最广泛的模型。对于飘流扩散 模型，通过拟中性极限，我们得到拟中性飘流扩散模型。虽然拟中性飘流扩散模型 是半导体模拟中最简单的模型，但文献中关于此模型的结果很少。主要困难在于其 第三个方程是代数方程。因此我们不能采用一些成功应用于经典飘流扩散模型的方 法去解决拟中性飘流扩散模型。在这篇文章中，我们主要研究一维拟咿陛飘流扩散 模型。 本文分为两个部分。在第一部分，我们研究了一维拟中性飘流扩散模型的局部 适定性和整体适定性。我们将利用正则化方法和上下解技巧给出局部古典解和整体 古典解的存在唯一性。同时，我们还给出了一些奇性稳态解的例子。在第二部分， 我们主要研究此模型整体光滑解的渐近性态。我们采用不同于第一部分的方法，不 动点论证法，来证明局部光滑解的存在唯一性。然后利用能量方法做一个有用的先 验估计，由此估计和局部存在性结果即可得到光滑解的整体存在性和渐近性结果。 关键词： 半导体，拟中性飘流扩散模型，局部存在性，整体存在性，唯一性 渐近性。 Abstract are devices．One forsemiconductor models ofmathematicM two class are Ther【l big basedOilsemiconductorBoltzmann models thekinetic the models，namely tnicroscopic orethe models class macroscopic second macroscopicdescribingdirectly equation．Then suchaS current and densitytemperature density)chargedensity,energy quantitiescharge etc．．Tilemost modelforsemicouductorsis lnacroscopic hydrodynamic representative todrift limitleads model．A for model relaxation