0.13μmGGNMOS管的ESD特性探究.pdfVIP

第9卷，第9期 电 子 与 封 装 总第77期 V01．9．No．9 2009年9月 ELECTRONICSPACKAGING 每，7爱，G，酉，。I囊】t簟：]葛囊 0．13 mGGNMOS U 管的ESD特性研究 郭 斌，，王 东2姜玉稀3 (1．山西稷山广播电视发展中心，山西稷山043200；2．巴卅I电力公司塔什店火电厂，四川巴中636600； 3．上海大学， 上海200000) 保护机理主要是利用该晶体管的骤回特性。文章对NMOS管的骤回特性进行了详细研究，利用特 种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管，通过TLP测试获得了实验结果，并 对结果进行了。分析比较，详细讨论了栅极接地NMOS晶体管器件的版图参数和版图布局对其骤回特 性的影响。通过这些试验结果