a位替代对ifeolt;,3gt;陶瓷结构和电学性能的影响.pdf

摘 要 A位替代有效的改善了BiFe03陶瓷的直流电阻率、介电和铁电特性，少量的掺杂 介电性能参数和电滞回线，并对这些样品的结构和电学性能进行了系统的研究。研究结 ● 果表明： 瓷样品为正交晶系结构，主衍射峰与纯相BiFe03一致，烧结温度在870℃以上时样品 有较好的结晶度。 掺杂时BiFe03样品的电阻率(2．73×109f2cm)提高了2个数量级。因此，从减少漏导电 Bio．7Bao．3Fe03陶瓷样品的电阻率达到108Qcm，样品具有较高的电阻率。样品电流随测 量电压的增加呈线性增加的趋势。 介电损耗都随频率的增加而减小，少量的Er替代可以明显减小样品的介电常数随频率 变化，提高介电常数的频率稳定性，而在特定频率下样品的介电常数随着替代量的增加 先增加而后又减小。对于介电损耗，Er替代后的样品的介电损耗都要低于未替代时样品 的介电损耗，同时随着Er替代量的增加样品的介电损耗出现了先减小后增加的变化情 况，在x=0．1时，介电损耗达到最小值。样品的交流电导率随频率的增加而增加，Er的 替代使得样品的交流电导率减小，在x=0．1时，电导率达到最小值，这与直流测量的结 增加。在低频区830℃烧结的样品的介电损耗比较大，而对应于870℃和900℃两个 烧结温度的样品介电损耗有了明显的减小，在高频区介电损耗对烧结温度的依赖性不 大。样品的交流电导率随烧结温度的升高而增大。 kV／cm的外加电场下， 替代使得BiFe03陶瓷样品的剩余极化有了大幅度的提高。在28 测得纯相BiFe03陶瓷的剩余极化值为2．3gC／cm2，没有获得饱和的电滞回线。少量的 样品的剩余极化值(n)为10．9 陶瓷样品的剩余极化值也有了明显的提高。在20kV／cm的外加电场下，烧结温度为 900*(2的Bio 7Bao．3Fe03样品的^值达到113．11 替代量和烧结温度下，样品的电阻率和介电常数出现了极大值，这表明样品的介电常数、 剩余极化强度和电阻率之间存在着一定的联系。 关键词： 多铁材料，X射线衍射，介电性，铁电性，替代 ABSTRACT A-site were tobeeffectivein thede andferroelectric dopingproved enhancingresistively,dielectric electric behavior．The asmallamount can the polarization stability．Only dopingdramaticallychange were ofBi differentErcontentpreparedbyrapidliquidphase samplesl．xErxFe03(x-O，0．05，O．1，O．2)with methodandthe withdifferent were solid Bio．7Bao3Fe03 sinteringtemperatureprepared sintering samples statereactionmethod．The structureofall wascharacterizedXRD．We crystalline samples byusing suchasthe and measuredthe ofthe