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ingan子阱太阳能电池的理论效率计算

1㈣剃 摘要 本文通过对太阳能电池非平衡系统的细致平衡原理分析,计算了InGaN量子阱太阳能电池的 理论效率,并与其它方法得到的计算结果进行了对比。 在太阳能电池研究领域,高效、低成本始终是两个最重要的目标。为突破传统太阳能电池理 论效率极限,探索新型高效太阳能电池,已经提出了多种第三代太阳能电池的概念,其中之一是 量子阱结构太阳能电池。将半导体量子阱用于太阳能电池结构,基本思想是通过对势阱和势垒材 料能带结构的调控来实现太阳能电池的能带裁剪,扩展电池的吸收光谱,改善载流子输运特性, 目前量子阱结构太阳能电池仍处于基础研究阶段。InGaN量子阱结构太阳能电池的理论效率 的精确理论计算,对量子阱结构太阳能电池的进一步研究有重要的指导意义。细致平衡原理是对 非平衡系统的微观统计分析,据此计算得到的太阳能电池理论效率比使用其它方法计算得到的结 本文采用细致平衡原理分析,计算了InGaN量子阱太阳能电池的理论效率。引入量子阱结构 时,电池转换效率达78.9%,相比未引入量子阱结构的三结InGaN材料太阳能电池的转换效率显 著提高。可见在太阳能电池中引入量子阱结构,是获得高转换效率的有效途径。 关键词:InGaN,量子阱,太阳能电池,理论效率,细致平衡原理 Abstract Thisthesis calculatedthedetailedbalancelimitof ofa InGaN wellsolarcell. efficiency quantum Theresulthasbeen withthatfromothermethod. compared andlow costarethemost forsolarcellresearch.Several Highefficiency importantgoals new third solarcellshave been for on limit conceptgeneration of proposedbreakthroughsefficiency traditionalsolar ofwhichis wellsolar structureinsolar cells,one quantum cell.Byapplyingquantum basicideaistorealize bandcut cells,the energy absorption carriers out,expand spectrum,improve asto the ofsolar thebandstructureof transport,SO improveefficiencycell,throughcontrolling potential barrierandwellmaterials.IIInitridesemiconductorsaredirectband bandof materials,the InN,

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