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InGaN／GaN多量子阱太阳电池的器件研制 摘要 化物基太阳电池的研究方向之一。然而，由于外延生长的III族氮化物材料 仍存在较高密度的缺陷，因此由其制作的太阳电池结构、电学特性和工艺 将受其影响。本论文从太阳电池器件角度出发，制备了高开路电压的 件及其对太阳电池影响、ITO电流扩展层的影响、P—GaN表面位错密度对电 池开路电压影响、芯片尺寸影响以及聚光特性。有关研究结果如下： 的影响，即ITO扩展层不仅可强化光生载流子的输运和光透射，还使太阳 电池的光反射损失从18％降低至5％。光反射损失的降低使得太阳电池的短 路电流密度提升了13％，峰值外量子效率的提升比例约为“％。 密度低于107cm之时，太阳电池才具有较为合理的开路电压值。 细分析了获得高开路电压的主要原因，即多量子阱材料具有良好的周期重 复性和界面特性以及低反向饱和电流密度(10以9mA．cm。2量级)。另外，芯片 尺寸对开路电压的影响较小，但降低了太阳电池的串联阻抗，最终使得太 阳电池的短路电流密度从O．52mA．cm之增加到0．6mA·cm～，填充因子从45％ 提升到54％，且整体的转换效率也从O．59％提升到O．84％。 光倍数的增加，太阳电池的开路电压从2．31V增加到2．50V，随后出现饱和； 当聚光倍数进一步增加时，可能由于太阳电池表面复合也增加，导致填充 因子有所降低。尽管如此，太阳电池的整体转换效率还是有少许提升。 关键词： InGaN／GaN多量子阱太阳电池ITO电流扩展层 V．pit密度 芯片尺寸 电流密度一电压曲线聚光特性 II STUDYoNTHE FABRICATIoNAND CHARACTERISTICOFINGAN／GAN MULTIPLE CELLS WELLS(MQWS)SOLAR ABSTRACT P～in solarcellswith InGaN／GaN multiplequantum effective isa researchof absorption III．Nitridebasedsolar regionmajor topic stillhave cells．However，III-Nitride of epi—layers comparablyhigh density device ofsolar defects，which cells．Interms significantlydegradeperformances ofthe devicestructureandcontact this schemes，inthesis，InGaN／GaN MQWs solarcellswith