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InGaN／Si异质结太阳能电池的理论研究与制备 摘要 太阳能是一种清洁、无污染、取之不竭用之不尽的新能源，具有其它 新能源所不可比拟的优点。太阳能电池是把太阳能直接转化为电能的一种 半导体器件，作为光伏产业核心技术的太阳能电池正受到人们越来越多的 关注。Si是目前光伏产业中的传统太阳能电池材料，而InGaN是近年来备 受关注的新型太阳能电池材料，两种太阳电池材料相比其它材料具有很多 优点。Si材料在地球上含量丰富，其制备技术已相当成熟；InGaN材料的 禁带宽度在0．7eV--一3．4eV范围内连续可调，具有抗辐射、耐高温的特点。 本论文围绕InGaN／Si异质结太阳能电池进行了一系列的研究工作，主要工 作及结论如下： x1 为20nm-一200nm，掺杂浓度设定为5019／cm3，通过采用AMPS．1D软件对 太阳能电池的最优化转换效率T1=29．63％，明显高于Si同质结太阳能电池的 光电转换效率。通过对InGaN／Si单异质结太阳能电池的I．V特性曲线的分 带底与Si价带顶在同一能量位置，但并不是一个低阻抗欧姆结。 模拟，得NTInGaN／Si双异质结太阳能电池的转换效率为34％，电流密度 为设计新型的高效率InGaN基太阳能电池提供了理论依据。 3、利用LMBE设备尝试了InN／Si薄膜材料的生长，对薄膜材料进行了 初步的测试分析，为以后制作InGaN／Si太阳能电池做了准备。 LMBE 关键词：InGaN／Si异质结太阳能电池模拟AMPS．1D H AND OF S1UDYPREPARATIONINGAN／SI T脏ORETICAL SOLARCELLS HETERO．JUNCTION ABSTRACT Asa andinexhaustible has clean，pollution—free resource，solarenergy thecore of cell，as technologyphotovoltaic imcomparableadvantages．Solar fiomsolar into asemiconductdeviceofdirectconversion energy industry,is moreattention．Siisthematerialfor electricalandhas moreand energy gained has traditionalsolar isanewsolarcellmaterialand cells，whereas，InGaN attentioninrecent withother attractedmuch materials，these years．Compared