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si、ge掺杂石墨烯上吸附的第一性原理研究

l II 摘要 lIllll Il ll IIIIIIIII Y1960744 自2004年首次制造出石墨烯以来,它独特的电子特性在微电子领域和基础物理学 中有着广泛的应用价值,石墨烯已经成为了备受瞩目的国际前沿和热点。本文基于密度 泛函理论(DFT)第一原理计算方法,研究了空位缺陷和替位掺杂对石墨烯电子性质和 磁性的影响及掺杂对Si或Ge在石墨烯上吸附的影响。 A, 我们用赝势(USPP)方法对石墨烯晶格结构进行优化,得到了晶格常数a=2.468 这与实验值2.46A符合的很好。本文所有计算都采用此优化得到的晶格常数值。在此基 础上研究了Si、Ge在石墨烯上吸附的形成能与覆盖度的关系,在低覆盖度(1/32ML到 覆盖度的增加而增大,这是由于随着吸附原子Si或Ge之间距离的减小。原子之问的吸 引作用增大,体系能量降低。 研究了单空位缺陷和B掺杂对石墨烯电子性质的影响及单空位和B掺杂缺陷对Si 在石墨烯上吸附的影响。通过计算缺陷的形成能得到,单空位缺陷结构不易形成,B掺 杂石墨烯结构相对较稳定,其中B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能。吸附Si后,Si 原子在完整石墨烯上吸附的稳定位置为桥位,Si的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自 旋性质。空位缺陷和B掺杂均增强了Si在石墨烯上的吸附,与B掺杂相比,空位缺陷 对Si在石墨烯上吸附的影响较大。另外Si在空位缺陷和B掺杂石墨烯上吸附,体系不 显示磁性。 研究了空位、B和N掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响。Ge原子在完整、B掺杂和 N掺杂石墨烯上吸附的稳定位置为桥位。空位增强了Ge在石墨烯上的吸附,相比于其 它三个体系,空位对Ge在石墨烯上吸附的影响最大。空位缺陷体系具有磁性,Ge吸附 后此体系磁性消失。B和N掺杂石墨烯分别为P型掺杂和n型掺杂,这两种缺陷体系不 具有磁性。B掺杂增强了Ge在石墨烯上的吸附,而N掺杂对Ge的吸附几乎没有影响。 Ge吸附在B掺杂和N掺杂石墨烯后,体系均具有磁性,这主要是由Ge的P电子轨道 引起的。 影响。Al、Si和P掺杂石墨烯后衬底c原子位置发生了变化,且Si,P原子掺杂比Al掺 杂石墨烯容易;Ge在不同掺杂体系的吸附位置不同,AG体系稳定吸附结构为Ge吸附 在Al的正上方,SG体系和PG体系Ge原子分别吸附在最近邻碳原子偏顶位和顶位最 影响最大,P掺杂次之,Si掺杂最小;Ge吸附AG体系和SG体系磁矩为零,不显示磁性, Ge吸附PG体系具有磁性。 总之,通过本课题的研究,加深对石墨烯的性能、表面和半导体担载石墨烯电子结 构的理解,进一步揭示石墨烯/半导体相互作用的物理机制,揭示各种缺陷对电子结构的 影响。第Ⅳ主族元素Si和Ge作为微电子基础材料,它们与碳基材料相互作用的研究 在制作电子传感器件方面有重要的意义。本课题的研究成果将来可以对新的电子器件的 开发和应用有一定的指导和参考价值。 关键词:石墨烯,掺杂,硅,锗,吸附 ABSTRACT attractedattentionasa in wasfirstcreatedin2004,have large potentialapplication Graphene,which andelectrical becauseofits mechanical fundamental tlletieldofmicroeletronicsand physics unique ofSi/Ge 011 and

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