ta2o5y2o3掺杂0.9al2o3-0.1tio2基微波介质陶瓷的微结构研究.pdfVIP

微结构研究 摘要 陶瓷材料的体积密度、符合正电子湮没的寿命谱参数，并用XRD和 SEM分析其相组成和微观组织结构，探究烧结工艺、Ta205掺杂量与 料的体积密度、符合正电子湮没的寿命谱参数与Doppler展宽谱，探 讨了烧结工艺、Y203掺杂量与烧结温度对0．9A1203．0．1Ti02基微波介 质陶瓷致密度与微观缺陷的影响。实验结果如下： 己被分解。 陶瓷样品的密度发现：烧结温度为1450℃的样品具有较高的密度： 对于每一烧结温度，随着X增加，样品的密度先减小后增加，在 x=0．9Wt％附近，陶瓷样品的密度最小。 T 增加，样品的正电子第二寿命成分r2先增加后减小，在x=1．2Wt％时 出现最大值，说明随着X的增加，样品中缺陷的开空间先增大后减小， 在x=1．2wt％附近，缺陷开空间最大。当烧结温度为1400℃时，样品 的正电子第二寿命成分r2随着X的增加而增加，即缺陷开空间随着X 增加而增大。当烧结温度为1450。C，随着X的增加，样品的正电子 第二寿命成分n先减小后增加，在x=1．2wt％时出现最小值，即随着X 增加，缺陷开空间先减小后增大，在x=1．2WWo附近，缺陷的开空间 最小。 1450C的xTa205 (4)比较烧结温度分别为1350。C、1400。C幂IJ 的样品的缺陷开空间最小，该样品可望具有较好的介电性能。 6C、1450。C与15506C的微波介质 (5)比较烧结温度分别为1350 的样品的密度较大。在各烧结温度下，随着X的增加，样品的密度逐 渐增大。 0．8wt％、1．2wt％、1．6wt％、2．0wt％)陶瓷，当烧结温度为13506C时， 随着X的增加，样品的正电子第二寿命成分它先增加后减小，在 x=1．2wt％出现最大值，说明随着X的增加，样品中缺陷的开空间先增 TT 大后减小，在x=1．2wt％附近，缺陷的开空间最大；当烧结温度为 1450。C时，样品的正电子第二寿命成分t2随着X的增加而增大，即该 样品中缺陷的开空间随着X的增加而增大；在1550℃时，随着X的 增加，样品的正电子第二寿命成分它先减小后增加，T2最小值出现在 x=1．2wt％附近，即随着X的增加，样品中缺陷的开空间先减小后增大， 在x=1．2wt％附近，样品中缺陷的开空间最小。 (7)符合正电子湮没辐射Doppler展宽的实验结果显示，对 1．6wt％、2．0wt％)陶瓷，当烧结温度为1350℃时，随着x的增加， 样品的商谱谱峰先降低后升高，即样品缺陷的开空间先增加后减小； 在x=0．8wt％附近，样品的商谱谱峰最低；当烧结温度为1450℃时， 随着X的增加，样品的商谱谱峰呈现降低的趋势，即样品中的晶界缺 陷增多。 关键词：0．9A1203—0．1Ti02掺杂 Ta205Y203密度微观缺陷 正电子寿命Doppler展宽 本文为国家自然科学基金(批准号和广西自然科学基金 (批准号：20lOGⅫSFD013036)资助项目。 IIl STUDIES OF MICROSTRUCTUREOF AND Ta205Y203 DOPANTON THE 0．9A]203-0．1Ti02．BAESD MICROWAVE DIELECTRIC CERAMICS ABSTRACT effects of