宽带隙半导sic和zno的光电性质及掺杂研究.pdfVIP

摘要 摘要 SiC和ZnO属于第三代宽禁带半导体材料，它们都有很多优良的性能，所 以一直都是人们研究的热点。 SiC是一种典型的宽禁带半导体材料，迁移率很高、热稳定性和化学稳定性 比较优良，在一些特殊的电子器件制造方面有非常大的应用潜力，比如高频、大 功率、耐高温、抗辐射等。然而，SiC材料单晶片价格昂贵，目前国内虽已有了 SiC单晶材料生长的相关报道，但其质量不好，高质量的SiC单晶片还需要进 口，并且进口的单晶片还只是小尺寸的，大面积单晶片依然难以制备。这样的现 状促使人们探讨在一些廉价衬底上生长SiC薄膜的方法，比如硅基片。一方面 由于目前硅工艺比较成熟，可以买到很廉价的大面积的高纯硅基片，另一方面， 在Si衬底上生长SiC薄膜，可以使我们的SiC制备与目前世界上已经比较成熟 的Si工艺相结合，制备出相应的Si基器件，以适应大规模集成电路的需要。 eV的禁带宽度(直 ZnO是一种II．Ⅵ族的半导体材料，在室温下有着3．37 接带隙)，激子结合能高达60meV，因而受到了广泛关注，人们