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- 2015-10-24 发布于贵州
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柱形量子线的电-声子相互作用
柱形量子线中的电一声子相互作用
摘要
随着分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的不断发展和完善,使
人们能够按照自己的意愿排列原子、分子,制备出各种各样的零维、一维和二
维纳米结构,甚至单分子器件.由于这些低维纳米体系不仅具有极其丰富的物理
内涵和独特的性能,而且具有极其广阔的应用前景,因而对它们的研究在当代
物理学、材料学以及日新月异的高新技术领域中显得极为重要.本文采用变分法
和类LLP变换,并利用有效质量近似原理,系统地研究了柱形量子线中的杂质
态和激子态的性质.分别在无限深势阱和有限深势阱中讨论了,电子与约束体纵
光学(LO)声子、界面光学声子(IO)相互作用影响下的杂质态的行为.详细地讨论
了电子极化效应以及杂质离子.声子相互作用对杂质态结合能的贡献行为.并进
一步考虑了外加电场对量子线中杂质态、激子态极化效应的影响.获得的结果主
要有:
一、利用变分法和有效质量近似原理,计算了LO声子场和IO声子场对杂
质态结合能的影响.计算中采用约束型电一声子相互作用哈密顿量,不仅考虑了
子模的相互作用,并以外层包裹着一层非极性材料的GaAs柱形量子线为例进行
数值计算.结果表明,只考虑电子和声子耦合的杂质态结合能较不考虑任何声子
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