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甚高频激发的容性耦合等离子体的特性测量与分析 中文摘要 甚高频激发的容性耦合等离子体的特性测量与分析 中文摘要 在现代半导体行业中，低温等离子体常应用于薄膜生长、基片刻蚀和表面改性等。 相比于感应耦合等离子体源而言，容性耦合等离子体源的结构简单，更容易形成大口 径等离子体，因而被半导体工业广泛应用。最近兴起的双频激发容性耦合等离子体源 进一步地拓展了容性耦合等离子体源的功能，其中的甚高频率用来激发产生等离子 体，而较低的频率则用来诱导等离子体中的离子轰击基片表面，这一离子通量和离子 能量独立可控的特性大大拓宽了容性耦合等离子体的工作窗口，为半导体工业超细线 宽的沟槽刻蚀带来了新的希望。 本文中所提及的容性耦合等离子体源是在原有的感应耦合等离子体源基础上改 进而来，激发等离子体所用射频频率主要由信号发生器所产生，射频信号经过射频功 率放大器的放大后直接传输到射频匹配器，匹配器的功率输出极与功率电极相连，等 离子体的激发频率从5MHz到150MHz的范围内连续可调。 利用电压探针、电流探针和Langmuir探针等诊断设备对射频激发等离子体电学 参量进行了测量，主要是针对不同频率下射频电压与输