石墨烯共振穿结构中的自旋极化与磁电阻特性研究.pdfVIP

摘要 构，并用传递矩阵方法研究了相对论电子的自旋极化输运和隧道磁电阻(TMR)。主要 结论如下： 利用传递矩阵方法推导出通过FG／IG／G／IG／FG结构与自旋相关的透射系数及电导， 在条件一定的情况下，垒高(阱深)以及电子入射角都对自旋极化有着明显的影响。 首先，在双势垒结构中，自旋向上电子态和自旋向下电子态都表明了各向异性的克 莱因隧穿效应。在接近垂直入射角时，这种势垒都能保持非常好的透射性，自旋极化被 完全抑制。相对于自旋向下电子态，自旋向上电子态的透射系数比自旋向下电子态的更 复杂并包含更多的共振峰。在这种结构中，随着垒间距的增加，透射系数曲线出现了更 多的共振峰。 其次，在双阱结构中有些特征与双垒模型是类似的。主要区别在于，自旋向下电子 的完全透射只发生在垂直入射附近，自旋向上电子的共振峰出现在入射角较大时以及垂 直入射时。 再次，在双势垒结构中，随着静电势垒的增加，电导显示出振荡特性。当费米能足 够大，两个铁磁电极的磁化方向平行和反平行时，电导的区别变小。 最后，在双阱结构中，随着阱间距的增加，电导振荡的振幅变小。与双垒模型相比， 由于共振隧穿特性，电导的数值较大。 关键字：石墨烯共振．隧穿结构自旋极化磁阻透射系数电导