砷化镓及其子阱中电子自旋扩散动力学研究.pdf

砷化镓及其量子阱中电子自旋扩散动力学研究 专业：光学 博士生：余华梁 指导教师：赖天树教授 摘 要 自从巨磁电阻效应(GMR)被发现以来，电子自旋研究成了国际上一个新的研 究热点，逐渐形成了一个新的学科一自旋电子学(Spintronics)。为了发展具有 放大功能的自旋晶体管，实现自旋器件的集成制造并与传统微电子器件的一体化 集成，世界各国投入了大量的人力、物力对半导体自旋电子学领域开展了广泛的 研究，期待发展体积小、速度快、功耗小的新一代半导体自旋电子器件。半导体 中电子自旋成为自旋电子学的研究重点。 在实现半导体自旋电子器件的诸多前提条件中，足够的自旋输运尺度是其中 的重要条件之一。而自旋输运尺度是由自旋弛豫时间、自旋扩散系数(皿)和自 旋迁移率(以)所决定的，所以，研究测定自旋扩散系数和自旋迁移率的实验方法， 测定半导体材料自旋扩散系数和自旋迁移率，研究影响电子自旋扩散和自旋迁移 率的各种因素，都具有潜在的理论意义和应用价值。 本