用于紫外探器的tio2纳米管阵列电极的制备与光电性能研究.pdfVIP

中文摘要 摘 要 Ti02纳米管阵列薄膜因其优良的光电活性、稳定的物理和化学性质、简单的 制备工艺和较大的比表面积等优点，使其成为制作低成本、高性能紫外探测器的 理想材料。本文研究以NH4F／H20／乙二醇为电解液，采用二次阳极氧化法制备高 度有序Ti02纳米管阵列的方法，通过工艺控制调控阵列微结构，研究Ti02纳米 管阵列微结构对其光电性能的影响。研究取得如下成果： 1、热处理温度可显著影响Ti02纳米管阵列的晶化程度和相组成。随温度升 高，纳米管在300℃时晶化为高光电活性的锐钛矿相，400。C时，晶粒发生相变。 FE．SEM测试结果证实，较低温度热处理(400℃)不会破坏纳米管阵列的有序 结构，但高温(600。C)会使纳米管管口破碎，阵列表面失去多孔结构。光电测 试结果说明，400℃热处理的纳米管光电性能最佳。 2、在阳极氧化法中，高电压所形成的强电场以及较高的F。离子浓度有利于 F。离子在Ti片表面的蚀刻，并形成高度有序的纳米管阵列结构。在相同氧化电压 下，纳米管阵列的厚度与氧化时间成正比，40V电压下，纳米管生长速率约为1．27 gm／h。电解液中2％的水含量可有效提高纳米管阵列表面管口的均匀性。