磁场下量子中两电子和激子的能态及光学性质研究.pdfVIP

摘 要 近年来，在低维半导体结构中，量子环以其独特的物理特性和广阔的应用前景备受 关注，在理论和实验上人们进行了广泛的研究。 目前，在研究量子环的诸多理论模型中，偏心抛物势模型 （ECPP ）是应用比较普 遍的一种模型，但是ECPP模型在描述量子环的内外半径对环内电子态的影响和中心势 垒高度等参数的调节方面存在困难。后来人们又提出了“精细环状”势模型，而它的可 调参数太多，不便于对量子环理论研究的进行。因此本文采用了邢永丽等人提出的有限 深偏心抛物势模型（FECPP ），此模型不仅避免了上述两种模型出现的困难，而且能合 理的体现出量子环约束势的环形结构。本文在此模型下利用对角化方法计算了磁场下 InGaAs 量子环中两电子体系和激子的能态以及光学性质。 首先，研究了磁场下量子环中两电子体系的电子态和FIR 吸收谱。随着磁场的变 化体系电子态的基态出现了自旋单态和自旋三重态之间的振荡现象，而且体系的FIR 吸 收谱共振峰能量与实验值吻合的较好。因此该模型能较好的描述量子环中两电子体系电 子态和FIR 吸收谱的物理特性。 其次，还研究了磁场下量子环中激子的束缚能和PL 谱。FECPP 模型下计算所得 的激子的发光峰能量随磁场的变化趋势和实验测得的