磁性半导体inlt;,1-xgt;felt;,xgt;)lt;,2gt;olt;,3gt;与xfetiolt;,3gt;-(1-x)felt;,2gt;olt;,3gt;的制备、结构和磁性的研究.pdf

摘要 磁性半导体被认为是制造下一代白旋电子器件的候选材料之一。一种获得 磁性半导体的方法是将磁性原子注入到半导体中，使磁性原子之I’日J产生交换相 互作用，形成具有铁磁性的稀释磁性半导体(Diluted Semiconductor- Magnetic 带半导体ZnO中掺杂5％的Mn磁性离子，有望获得高于室温的铁磁性。紧接 于室温的铁磁·I，t(Tc400K)，自此以后，关于氧化物稀磁半导体的室温铁磁性得 到了广泛的研究。然而对于氧化物稀磁半导体的铁磁性具体来源目前仍然不清 楚：有人认为铁磁性来源于样品的内禀性质，其产生机理主要分为三种：第一 种是由载流子诱导的铁磁交换祸合，如RKKY交换作用。第二种是与样品中的 缺陷有关，具有代表性的是局域极化子(BMP)模型，第三种是传统的交换作 用模型，比如双交换相互作用。另外，还有人认为铁磁性来源于样品中的铁磁 性团簇或污染物，但这不足样品的内禀性质。冈此深入研究氧化物稀磁半导体 的铁磁性来源对于基本问题的认谚{和它们将来的应用都具有重要的意义。对于 另外一和，磁性半导体材料FeTi03一Fe203固溶体来说，它们本身就具有内禀的铁 磁性，并且具有良好的