磁控溅射法备si掺杂zno薄膜及allt;,2gt;olt;,3gt;包埋si纳米晶薄膜.pdfVIP

摘 要 作为一种重要的微电子薄膜材料，Si已在超大规模集成电路(VLSI)、太阳电池、液 晶显示、记忆存储以及特种半导体器件中都获得了成功的应用。近年，随着各类纳米薄 膜材料与纳米量子器件的兴起，具有纳米晶粒多晶Si薄膜的结构制备与电学特性的研 因为具有较高的激子束缚能(60meV)，使得它成为理想的下一代紫外发光二极管和激 光二极管的候选材料。把ZnO和Si两种材料的光电性质结合到一起，将在光电领域具 有极其重要的意义。目前这方面的研究工作多数都集中于在Si衬底上生长和制作ZnO 的薄膜器件和纳米结构等研究上，而作为纳米粒子的发光效率被认为要比薄膜和一维纳 米材料高得多。 本文首先利用射频磁控溅射技术制备了Si掺杂ZnO薄膜，然后以不同的退火温度 ZnO薄膜的结构及发光性质。研究表明，在Si掺杂ZnO薄膜中生成了ZnO纳米粒子。 随着退火温度的升高，ZnO纳米粒子的结晶性变好，并且粒子半径逐渐增大。ZnO的可 见区发射随着退火温度的升高逐渐增强，这对制作ZnO白光LED有很重要的意义。变 而增强紫外发光。 本文还利用直流磁控溅射技术制备出Al包埋纳米Si薄膜，并以不同退火温度对样 对样品的结构和发光性质进行了研究。结果表明A1203薄膜中存在Si纳米晶，其半