离子注入法备富硅氧化硅薄膜的发光特性研究.pdfVIP

JllJllIIlllll 。 JItfJJlll3ltllJlll25IllI ～～一’ 摘要 由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3．5个数量级， 无法满足光电子器件的需要，完全的硅基光电子集成网络也一直未能面市。将富 余的硅元素掺杂进Si02基体中可以引入不同特性的发光中心，从而获得多种光 谱范围的高效发光。离子注入热氧化硅层和超大规模集成电路(ULSI)的半导 体工艺完全兼容，并可精确控制注入离子的分布、浓度和掺杂层厚度，是实现高 效硅基发光的有效途径。 。 通过干、湿两种热氧化法在单晶硅表面制备了两组热氧化硅薄膜样品；采用 氧化硅基体，制得三组Si02：Si注入层，标记为样品组G1～G3；分别在低温