类钙钛矿氧物cacult;,3gt;tilt;,4gt;olt;,12gt;(ccto)巨介电常数的产生机理及掺杂特性.pdfVIP

摘 要 高介电常数材料是当今微电子行业热门研究课题之一，它的应用为解决当前半导体 器件因尺寸缩小而导致的栅氧层厚度极限问题提供了可能。类钙钛矿结构氧化物 K) 注。CCTO不仅具有很高的介电常数(达105)，而且在相当宽的温区内(100～400 介电常数保持不变，致使这类材料在高能量密度存储以及高容量电容器等电子元件的微 型化具有重要的应用前景。但目前该材料也存在以下不足： (1)、介电损耗较高，使 其无法在实际中应用； (2)介电性能对制备条件相当敏感，材料稳定性不够好；(3) 巨介电常数产生的机制至今没有解决，影响对其性能的改进。因此，为改善其介电损耗 和结构敏感性，使其在实际中广泛应用，对CCTO高介电常数的产生机理的研究成为亟 待解决的重要问题。 本文采用传统固相反应法制备出CCTO纯相陶瓷样品。针对目前人们广泛认可却仍 有争议的CCTO的外秉产生机理，如绝缘晶界和半导晶粒的内部阻挡层模型(＆OIBLC： internalbarrier slayerscapacitor)，样品与电极接触的肖特基势垒耗尽层模型等。我们用