脉冲激光沉方法制备znmgo合金.pdfVIP

摘 要 eV，具 氧化锌(ZnO)是一种II．Ⅵ族直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3．37 有较高的激子束缚能(60meV)，保证了室温下高效的激子发射以及紫外发光。为了提 高ZnO的发光效率，达到带隙的调制，通常用禁带宽度为7．7 eV的MgO与其形成合金 材料，通过调节合金中Mg的含量，从而调节禁带宽度，进而调制材料的发光特性。 本文利用脉冲激光沉积方法在MgO衬底上生长ZnO薄膜。对同样的样品进行不同 (XRD)、光致发光谱(PL spectrum)，拉曼光谱(Ramanspectrum)以及吸收光谱 (Absorption)对其进行表征。 通过对不同温度下退火的样品的XRD分析，我们得到在700oC快速退火的时候样 品的结晶质量变好，800oC快速退火的时候样品的取向性变好；对样品分别进行PL光 谱，Raman光谱以及吸收光谱的检测，我们均明显的看到了紫外峰位、1LO声子以及