纤锌矿氮化量子阱中电子迁移率及应变和压力调制.pdfVIP

纤锌矿氮化物量子阱中电子迁移率及应变和压力调制 摘要 纤锌矿氮化物半导体具有禁带宽度大、临界场强高、热导率大、饱合漂移 速度高、稳定性好等特点，是制作高频大功率器件的重要材料．目前，GaN基高 电子迁移率晶体管(HEMT)的理论和实验研究是一个热点方向．纤锌矿氮化物 本文基于介电连续模型、单轴晶体模型和雷．丁平衡方程方法，讨论在光学声子 起主要散射作用的温度区域，纤锌矿氮化物量子阱中的电子迁移率．主要研究内 容和所得结果概括如下： 常压下，在窄阱和宽阱时，界面光学声子散射对电子的迁移率起主导作用；在 中间阱宽时，局域光学声子散射对电子的迁移率起主导作用．电子迁移率随阱宽 的增加先从一小值减小至低谷，然后增加，最终在某一阱宽时达到饱合值．对给 定阱宽，有限垒宽情形的电子迁移率大于无限垒宽情形．减小阱区的内建电场可 增大电子迁移率．量子阱的尺寸会改变体系的内建电场强度及2DEG分布，尺寸 的优化可提高电子迁移率，从而改进HEMT的性能． 着流体静压力的增大，一方面材料的有效质量、高频介电常数、光学声子频率、 体系的带阶和内建电场均增大；另一方面体系中声子数却减少．结果表明，电子 迁移率随着流体静压力的增大而微弱增大． 应以及对电子迁移率的影响．结果发