稀土单掺杂过渡金属与碳共掺zno光性能研究.pdfVIP

摘要 稀土单掺杂或过渡金属与碳共掺ZnO光性能研究 凝聚态物理专业 研究生：邓司浩 指导教师：徐明 摘要：对于ZnO的研究从20世纪30年代才逐渐开始。ZnO因其诸多优 异的性能，如室温禁带宽度较宽，自由激子能较高、介电常数较小、温度系数 较低、机电耦合系数和压电常数较大、c轴取向上具有较强的压光压电效应、 容易实现n型掺杂以及通过掺杂可在室温实现铁磁性等，在气体传感器、透明 广阔的应用前景。 当前，ZnO的掺杂改性已成为ZnO研究的一大热点，而掺杂引起的禁带 宽度变化现象已被广泛研究。我们知道，在制作以ZnO薄膜为基础的现代光 电器件中，一个非常重要的前提是实现ZnO能带的调制，带隙可控使得ZnO 薄膜的发光器件开发成为可能。此外，电子的电荷属性和电子的自旋属性在 材料中一般是单独地被使用，如果能在同一材料中同时应用这两种属性，出 现所谓的稀磁半导体(DMSs)，则有望在自旋电子器件中发挥巨大作用而备 受关注。其中，高居里温度(Tc)的实现成为关注的焦点。本文基于密度泛函 学性质，主要开展了以下工作： l、计算研究了La掺