石墨烯纳米带中缺陷与电极位置对电子输运性质的影响.pdfVIP

lIIIII IIIIIIIIIIIIIlqllll ＼1 摘要 摘要 石墨烯纳米材料是目前凝聚态物理研究最为活跃的领域之一。这种只有一 个原子层厚度的理想二维体系显示了不同寻常的特性，具有广泛的应用前景。 本论文主要是利用ATK软件进行模拟计算，研究了几种石墨烯纳米材料的电子 输运性质，并通过对其性质的模拟进行了相应的器件设计，提出了一些构建石 墨烯纳米器件的设想。 我们首先介绍了石墨烯的晶体结构，然后从能带理论出发，计算了石墨烯 构，并讨论了其性质。 其次分别研究了石墨烯纳米带的单空位和吸附缺陷对电子输运特性的影 响。研究发现，各种缺陷效应对其能带结构和导电性能均产生重大的影响，其 原因在于缺陷的存在破坏了石墨烯纳米带几何结构的对称性。进一步研究发现， 从能量角度看，缺陷在石墨烯纳米带边缘处更趋稳定，与实验结果相吻合。 然后研究了金电极与石墨烯纳米带